[发明专利]快闪存储器及快闪存储器的制作方法

权利要求书

1.一种快闪存储器的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有隧穿介质层、位于隧穿介质层表面的浮栅导电层以及位于浮栅导电层表面的掩膜层；

图形化所述掩膜层，以图形化的掩膜层为掩膜，依次刻蚀浮栅导电层、隧穿介质层和部分厚度的半导体衬底，形成浅沟槽；

形成填充满所述浅沟槽的隔离层，所述隔离层顶部与掩膜层表面齐平；

去除掩膜层；

在浮栅导电层表面形成导电侧墙且所述导电侧墙位于隔离层侧壁；

去除部分厚度的隔离层暴露出导电侧墙的侧壁；

形成栅间介质层，所述栅间介质层覆盖隔离层、导电侧墙以及浮栅导电层表面；

在所述栅间介质层表面形成控制栅导电层。

2.根据权利要求1所述的快闪存储器的制作方法，其特征在于，所述导电侧墙的材料为多晶硅。

3.根据权利要求1所述的快闪存储器的制作方法，其特征在于，所述导电侧墙的形成过程为：采用化学气相沉积工艺形成覆盖隔离层和浮栅导电层表面的导电侧墙层，回刻蚀去除位于浮栅导电层表面以及隔离层表面的导电侧墙层，形成位于隔离层侧壁的导电侧墙。

4.根据权利要求3所述的快闪存储器的制作方法，其特征在于，所述回刻蚀工艺为干法刻蚀。

5.根据权利要求4所述的快闪存储器的制作方法，其特征在于，所述干法刻蚀的具体工艺参数为：刻蚀气体为CF₄、CHF₃、CH₂F₂、CH₃F、C₄F₈或C₅F₈中的一种或几种，刻蚀气体流量为100sccm至500sccm，腔室压强为0毫托至10毫托，电源功率为200瓦至1000瓦，偏置电压为0伏至100伏。

6.根据权利要求1所述的快闪存储器的制作方法，其特征在于，去除部分厚度的隔离层，使得隔离层顶部与浮栅导电层上表面齐平或低于浮栅导电层上表面。

7.根据权利要求6所述的快闪存储器的制作方法，其特征在于，去除部分厚度的隔离层后，隔离层顶部高于隧穿介质层上表面或与隧穿介质层上表面齐平。

8.根据权利要求1所述的快闪存储器的制作方法，其特征在于，去除部分厚度的隔离层的工艺为湿法刻蚀。

9.根据权利要求8所述的快闪存储器的制作方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的刻蚀液体为稀释的氢氟酸。

10.根据权利要求1所述的快闪存储器的制作方法，其特征在于，所述隧穿介质层的材料为氧化硅。

11.根据权利要求1所述的快闪存储器的制作方法，其特征在于，所述栅间介质层为氧化物层、氮化物层和氧化物层的叠加结构。

12.根据权利要求1所述的快闪存储器的制作方法，其特征在于，所述隔离层的材料为氧化硅。

13.根据权利要求1所述的快闪存储器的制作方法，其特征在于，所述浮栅导电层或控制栅导电层的材料为多晶硅。

14.一种快闪存储器，其特征在于，包括：

半导体衬底；

位于半导体衬底内且高于半导体衬底表面的浅沟槽隔离结构；

位于半导体衬底表面的隧穿介质层，且所述隧穿介质层位于相邻浅沟槽隔离结构之间；

位于隧穿介质层表面的浮栅导电层；

位于浮栅导电层表面的导电侧墙，且所述导电侧墙的垂直侧壁与浮栅导电层的侧壁齐平；

位于浅沟槽隔离结构、导电侧墙和浮栅导电层表面的栅间介质层；

位于栅间介质层表面的控制栅导电层。

15.根据权利要求14所述的快闪存储器，其特征在于所述浅沟槽隔离结构顶部与浮栅导电层上表面齐平或低于浮栅导电层上表面。

16.根据权利要求14所述的快闪存储器，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构顶部高于隧穿介质层上表面或与隧穿介质层上表面齐平。

17.根据权利要求14所述的快闪存储器，其特征在于，所述导电侧墙的材料为多晶硅。