[发明专利]半导体存储装置、控制器、和存储器系统有效
| 申请号： | 201310349384.3 | 申请日： | 2013-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN104064219B | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 白川政信 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 陈海红;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种能够提高操作可靠性的半导体存储装置及控制器。实施方式的半导体存储装置1包括：能够非易失性存储数据的存储单元阵列111；和控制对存储单元阵列的数据存取的控制部141。存储单元阵列在多个页PG18、PG74保持相同的数据。控制部141通过对保持相同的数据的上述多个页PG18、PG74执行读出操作，来确定读出数据。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 控制器 存储器 系统 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，其特征在于，包括：能够非易失性存储数据的存储单元阵列，所述存储单元阵列包括与公共位线连接的第一存储串和第二存储串，所述第一存储串包括第一选择晶体管，所述第二存储串包括第二选择晶体管，所述第一存储串中的存储单元和所述第二存储串中的存储单元与一条字线电连接；和控制对上述存储单元阵列的数据存取的控制部；其中，上述存储单元阵列对应于上述存储单元阵列内的不良信息在分别包含于所述第一存储串和所述第二存储串的多个页保持相同的数据，上述控制部通过同时对上述第一选择晶体管和第二选择晶体管的栅极施加正电压而对保持上述相同的数据的上述多个页执行读出操作，并且选择所述字线。
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