[发明专利]发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201310347702.2 | 申请日： | 2013-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN104377274B | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 邱镜学;林雅雯;凃博闵;黄世晟 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/22 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司44311 | 代理人： | 徐丽昕 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管制造方法，包括以下步骤提供一蓝宝石基板，蓝宝石基板的表面形成有多个凸出部；在蓝宝石基板的表面及凸出部生长一厚度均匀的未掺杂的低温GaN层；在未掺杂的低温GaN层上生长未掺杂的高温GaN层，未掺杂的高温GaN层不完全覆盖未掺杂的低温GaN层，露出凸出部的顶部的未掺杂的低温GaN层；在露出的凸出部的顶部的未掺杂的低温GaN层上附着二氧化硅纳米球；在未掺杂的高温GaN层上和凸出部的顶部的未掺杂的低温GaN层上附著的二氧化硅纳米球上继续生长未掺杂的高温GaN层直至覆盖二氧化硅纳米球；在未掺杂的高温GaN层上依次生长N型GaN层、活性层以及P型GaN层。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管制造方法，包括以下步骤：提供一蓝宝石基板，蓝宝石基板的表面形成有多个凸出部；在蓝宝石基板的表面及凸出部生长一厚度均匀的未掺杂的低温GaN层；在所述未掺杂的低温GaN层上生长未掺杂的高温GaN层，所述未掺杂的高温GaN层不完全覆盖所述未掺杂的低温GaN层，露出凸出部的顶部的未掺杂的低温GaN层，且未掺杂的高温GaN层顶面的高度大于位于凸出部的顶部的未掺杂的低温GaN层顶面的高度；在所述露出的凸出部的顶部的未掺杂的低温GaN层上附着二氧化硅纳米球；在未掺杂的高温GaN层上和凸出部的顶部的未掺杂的低温GaN层上附著的二氧化硅纳米球上继续生长未掺杂的高温GaN层直至覆盖所述二氧化硅纳米球；在所述未掺杂的高温GaN层上依次生长N型GaN层、活性层以及P型GaN层。
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