[发明专利]发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管制造方法，包括以下步骤：

提供一蓝宝石基板，蓝宝石基板的表面形成有多个凸出部；

在蓝宝石基板的表面及凸出部生长一厚度均匀的未掺杂的低温GaN层；

在所述未掺杂的低温GaN层上生长未掺杂的高温GaN层，所述未掺杂的高温GaN层不完全覆盖所述未掺杂的低温GaN层，露出凸出部的顶部的未掺杂的低温GaN层，且未掺杂的高温GaN层顶面的高度大于位于凸出部的顶部的未掺杂的低温GaN层顶面的高度；

在所述露出的凸出部的顶部的未掺杂的低温GaN层上附着二氧化硅纳米球；

在未掺杂的高温GaN层上和凸出部的顶部的未掺杂的低温GaN层上附著的二氧化硅纳米球上继续生长未掺杂的高温GaN层直至覆盖所述二氧化硅纳米球；

在所述未掺杂的高温GaN层上依次生长N型GaN层、活性层以及P型GaN层。

2.如权利要求1所述的发光二极管制造方法，其特征在于：所述二氧化硅纳米球的直径为100-300nm。

3.如权利要求1所述的发光二极管制造方法，其特征在于：所述“在所述露出的凸出部的顶部的未掺杂的低温GaN层上附着二氧化硅纳米球”进一步包括步骤：将所述二氧化硅纳米球漂浮于密度大于二氧化硅的、有挥发性的有机溶剂中；将经过“在所述未掺杂的低温GaN层上生长未掺杂的高温GaN层，所述未掺杂的高温GaN层不完全覆盖所述未掺杂的低温GaN层，露出凸出部的顶部的未掺杂的低温GaN层”的步骤得到的半成品浸入以上漂浮有二氧化硅纳米球的有机溶剂中，然后再捞出；待所述半成品表面的有机溶剂挥发完后，使得所述露出的凸出部的顶部附着有二氧化硅纳米球。

4.一种发光二极管，包括：

蓝宝石基板，蓝宝石基板的表面形成有多个凸出部；

厚度均匀的未掺杂的低温GaN层，覆盖所述蓝宝石基板的表面和凸出部；

未掺杂的高温GaN层，覆盖所述未掺杂的低温GaN层，未掺杂的高温GaN层顶面的高度大于位于凸出部上的未掺杂的低温GaN层顶面的高度；

二氧化硅纳米球，设置在凸出部上的未掺杂的低温GaN层的顶面与未掺杂的高温GaN层之间；以及

N型GaN层、活性层以及P型GaN层，依次生长在未掺杂的高温GaN层上。

5.如权利要求4所述的发光二极管，其特征在于：所述二氧化硅纳米球的直径为100-300nm。