[发明专利]存储器制造工艺及以其制造的存储器结构

摘要

发明提供一种存储器制造工艺及以其制造的存储器结构。首先提供基底，基底中有沟渠及埋入沟渠中的导线，且基底上有阵列区，其中各个导线有一阵列部分位于阵列区中。在基底上定义与阵列区分离的接触区，其中各个导线有一接触部分位于接触区中。对在导线的接触部分之间的基底进行蚀刻至低于导线的顶部，以在导线的接触部分之间形成间隙。接着以绝缘层填充间隙。

主权项

一种存储器制造工艺，其特征在于，包括：提供基底，其中该基底中有多个沟渠及埋入至该些沟渠中的多个导线，该基底有阵列区，且各该导线有阵列部分位于该阵列区中；在该基底上定义与该阵列区分离的接触区，其中各该导线有接触部分位于该接触区中；对在该些导线的该些接触部分之间的该基底进行蚀刻至低于该些导线的顶部，以在该些导线的该些接触部分之间形成多个间隙；以及以绝缘层填充该些间隙。