[发明专利]存储器制造工艺及以其制造的存储器结构

权利要求书

1.一种存储器制造工艺，其特征在于，包括：

提供基底，其中该基底中有多个沟渠及埋入至该些沟渠中的多个导线，该基底有阵列区，且各该导线有阵列部分位于该阵列区中；

在该基底上定义与该阵列区分离的接触区，其中各该导线有接触部分位于该接触区中；

对在该些导线的该些接触部分之间的该基底进行蚀刻至低于该些导线的顶部，以在该些导线的该些接触部分之间形成多个间隙；以及

以绝缘层填充该些间隙。

2.根据权利要求1所述的存储器制造工艺，其特征在于，还包括：在各该导线的该接触部分上形成至少一接触插塞。

3.根据权利要求1所述的存储器制造工艺，其特征在于，还包括：在蚀刻该基底之后、填充该些间隙之前，形成覆盖该些导线的该些接触部分的实质上共形的保护层。

4.根据权利要求3所述的存储器制造工艺，其特征在于，还包括：在各该导线的该接触部分上，穿过该保护层而形成至少一接触插塞。

5.根据权利要求1所述的存储器制造工艺，其特征在于，该绝缘层包括旋涂式介电层。

6.根据权利要求5所述的存储器制造工艺，其特征在于，以该绝缘层填充该些间隙的步骤包括：

在该基底上涂布旋涂式介电材料；

将该旋涂式介电材料致密化；以及

通过化学机械研磨移除在该些间隙之外的经致密化的该旋涂式介电材料。

7.根据权利要求1所述的存储器制造工艺，其特征在于，所提供的该基底上有用以定义该些沟渠的图案化罩幕层，且在蚀刻该些导线的该些接触部分之间的该基底之前，先对该接触区中的该图案化罩幕层进行蚀刻。

8.根据权利要求1所述的存储器制造工艺，其特征在于，该些导线为动态随机存取存储器的字符线。

9.根据权利要求1所述的存储器制造工艺，其特征在于，该接触区的宽度为500nm到550nm。

10.根据权利要求1所述的存储器制造工艺，其特征在于，经蚀刻的该基底的顶部比该些导线的顶部低7.5～10nm。

11.一种存储器结构，其特征在于，包括：

基底，该基底中有多个沟渠，且该基底上有阵列区及与该阵列区分离的接触区，其中在该接触区中的该基底的表面低于在该接触区外的该基底的表面；

多个导线，各该导线埋入至各该沟渠中，且具有阵列部分位于该阵列区中及接触部分位于该接触区中，其中该接触部分突出在该接触区中的该基底的该表面之上；以及

绝缘层，填充在该接触区中的该些导线的该些接触部分的突出部分之间的间隙中。

12.根据权利要求11所述的存储器结构，其特征在于，还包括位于各该导线的该接触部分上的至少一接触插塞。

13.根据权利要求11所述的存储器结构，其特征在于，还包括覆盖在该些导线的该些接触部分上的实质上共形的保护层。

14.根据权利要求13所述的存储器结构，其特征在于，还包括位于各该导线的该接触部分上且穿过该保护层的至少一接触插塞。

15.根据权利要求11所述的存储器结构，其特征在于，该绝缘层包括旋涂式介电层。

16.根据权利要求11所述的存储器结构，其特征在于，该些导线为动态随机存取存储器的字符线。

17.根据权利要求11所述的存储器结构，其特征在于，该接触区的宽度为500nm到550nm。

18.根据权利要求11所述的存储器结构，其特征在于，在该接触区中，该基底的表面比该些导线的该些接触部分的顶部低7.5～10nm。