[发明专利]用可变存储单元状态定义的非易失性存储器件和操作方法无效
| 申请号： | 201310343872.3 | 申请日： | 2013-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN103578552A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 郭东勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/14 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及使用可变存储单元状态定义的非易失性存储器件和操作方法。一种操作非易失性存储器件的方法包括连续地编程存储单元而不物理擦除该存储单元。每次对存储单元的连续编程使用不同的擦除状态区来指示该存储单元的擦除状态。 | ||
| 搜索关键词： | 可变 存储 单元 状态 定义 非易失性存储器 操作方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器的编程方法，该非易失性存储器包括主区域和缓存区域，所述方法包括：根据擦除状态和编程状态之一，使用单比特编程操作在缓存区域的非易失性存储单元中编程第一数据；使存储在非易失性存储单元中的第一数据无效；并且之后，重新定义擦除状态。
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