[发明专利]鳍式场效应管的形成方法在审
| 申请号： | 201310342056.0 | 申请日： | 2013-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN104347421A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 韩秋华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种鳍式场效应管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有牺牲层；在所述半导体衬底表面形成第一侧墙，所述第一侧墙位于牺牲层两侧；在所述半导体衬底表面形成第二侧墙，所述第二侧墙位于形成有第一侧墙的牺牲层两侧；去除牺牲层；刻蚀第一侧墙或第二侧墙，使得相邻第一侧墙的距离与相邻第二侧墙的距离相等；以第一侧墙和第二侧墙为掩膜，刻蚀半导体衬底形成鳍部；去除位于鳍部表面的第一侧墙及第二侧墙。本发明形成的鳍式场效应管具有较小宽度的鳍部，鳍部的宽度与第一侧墙及第二侧墙的宽度之和相同，且鳍部顶端两侧的圆滑度一致，形成的鳍式场效应管性能得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有牺牲层；在所述半导体衬底表面形成第一侧墙，所述第一侧墙位于牺牲层两侧；在所述半导体衬底表面形成第二侧墙，所述第二侧墙位于形成有第一侧墙的牺牲层两侧；去除牺牲层；测量相邻第一侧墙的距离为第一宽度，测量相邻第二侧墙的距离为第二宽度；若所述第一宽度与第二宽度不相等，对应刻蚀第一侧墙或第二侧墙，直至第一宽度与第二宽度相等；以第一侧墙和第二侧墙为掩膜，刻蚀半导体衬底形成鳍部；去除位于鳍部表面的第一侧墙及第二侧墙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
