[发明专利]鳍式场效应管的形成方法

权利要求书

1.一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有牺牲层；

在所述半导体衬底表面形成第一侧墙，所述第一侧墙位于牺牲层两侧；

在所述半导体衬底表面形成第二侧墙，所述第二侧墙位于形成有第一侧墙的牺牲层两侧；

去除牺牲层；

测量相邻第一侧墙的距离为第一宽度，测量相邻第二侧墙的距离为第二宽度；

若所述第一宽度与第二宽度不相等，对应刻蚀第一侧墙或第二侧墙，直至第一宽度与第二宽度相等；

以第一侧墙和第二侧墙为掩膜，刻蚀半导体衬底形成鳍部；

去除位于鳍部表面的第一侧墙及第二侧墙。

2.根据权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙和第二侧墙的材料不同。

3.根据权利要求2所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙或第二侧墙的材料为氮化物或氧化物。

4.根据权利要求3所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述氮化物为SiN。

5.根据权利要求3所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述氧化物为SiO₂。

6.根据权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙的宽度为20埃至200埃。

7.根据权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述第二侧墙的宽度为20埃至200埃。

8.根据权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙或第二侧墙的形成工艺为化学气相沉积或原子层沉积。

9.根据权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙和第二侧墙为两步工艺形成或一步工艺形成的ON结构。

10.根据权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，若所述第一宽度与第二宽度不相等，对应刻蚀第一侧墙或第二侧墙包括两种情况：刻蚀前，所述第一宽度大于第二宽度，则刻蚀第二侧墙，直至第二宽度与第一宽度相等；刻蚀前，所述第一宽度小于第二宽度，则刻蚀第一侧墙，直至第一宽度与第二宽度相等。

11.根据权利要求10所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述刻蚀第一侧墙或第二侧墙的工艺为湿法刻蚀。

12.根据权利要求11所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，刻蚀第一侧墙且第一侧墙的材料为氧化物时，所述湿法刻蚀的刻蚀液体为SiCoNi或稀释的氢氟酸。

13.根据权利要求11所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，刻蚀第一侧墙且第一侧墙的材料为氮化物时，所述湿法刻蚀的刻蚀液体为热磷酸溶液。

14.根据权利要求11所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，刻蚀第二侧墙且第二侧墙的材料为氧化物时，所述湿法刻蚀的刻蚀液体为SiCoNi或稀释的氢氟酸。

15.根据权利要求11所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，刻蚀第二侧墙且第二侧墙的材料为氮化物时，所述湿法刻蚀的刻蚀液体为热磷酸溶液。

16.根据权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述牺牲层为光刻胶层或先进图案膜层。

17.根据权利要求16所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述先进图案膜层的材料为无定形碳。

18.根据权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，去除牺牲层的工艺为干法刻蚀。