[发明专利]多栅VDMOS晶体管及其形成方法在审
| 申请号： | 201310342027.4 | 申请日： | 2013-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN104347708A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 孙光宇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种多栅VDMOS晶体管及其形成方法，其中，多栅VDMOS晶体管，包括：N型衬底，所述N型衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；位于所述N型衬底的第一表面上的N型漂移层；位于N型漂移层上的P型外延层；贯穿所述P型外延层和部分N型漂移层的若干沟槽；填充满若干沟槽的若干栅极结构；位于P型外延层内环绕每个栅极结构侧壁的N型掺杂区；位于P型外延层上的源极金属层，所述源极金属层将若干N型掺杂区电连接在一起；位于N型衬底的第二表面上的漏极金属层。本发明的多栅VDMOS晶体管的驱动电流较大。 | ||
| 搜索关键词： | 多栅 vdmos 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种多栅VDMOS晶体管，其特征在于，包括：N型衬底，所述N型衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；位于所述N型衬底的第一表面上的N型漂移层；位于N型漂移层上的P型外延层；贯穿所述P型外延层和部分N型漂移层的若干沟槽；填充满若干沟槽的若干栅极结构；位于P型外延层内环绕每个栅极结构侧壁的N型掺杂区；位于P型外延层上的源极金属层，所述源极金属层将若干N型掺杂区电连接在一起；位于N型衬底的第二表面上的漏极金属层。
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