[发明专利]一种多晶硅片的制绒方法

摘要

本发明公开了一种多晶硅片的制绒方法，先对多晶硅片进行酸腐蚀的方式制绒，在表面形成腐蚀坑；然后再对多晶硅片进行碱腐蚀的方式制绒，在酸腐蚀形成的凹坑中腐蚀出金字塔的形貌，不仅可以降低多晶电池片的反射率，还可以提高类单晶太阳电池电的性能参数和转换效率。

主权项

1.一种多晶硅片的制绒方法，其特征在于：将多晶硅片在温度为7℃的HF和HNO3的混合酸溶液腐蚀1.5min，每片多晶硅片腐蚀量控制在0.40g；再将酸腐蚀后的多晶硅片放入温度为50℃的碱腐蚀溶液中4min，每片多晶硅片腐蚀量控制在0.08g，即得；所述HF和HNO3的混合酸溶液中HF质量浓度为7%，HNO3质量浓度为37%；所述碱腐蚀溶液是NaOH或KOH和制绒添加剂的水溶液，其中NaOH或KOH质量浓度为0.3%，制绒添加剂质量浓度为0.2%；所述制绒添加剂由下列质量份数的物质组成为84.0份水、0.6份苯甲酸钠、0.3份乙酸钠、4.0份柠檬酸钠、1.5份乙二胺四乙酸二钠、9.0份葡萄糖。