[发明专利]一种多晶硅片的制绒方法

说明书

本发明公开了一种多晶硅片的制绒方法，先对多晶硅片进行酸腐蚀的方式制绒，在表面形成腐蚀坑；然后再对多晶硅片进行碱腐蚀的方式制绒，在酸腐蚀形成的凹坑中腐蚀出金字塔的形貌，不仅可以降低多晶电池片的反射率，还可以提高类单晶太阳电池电的性能参数和转换效率。

技术领域

本发明涉及到一种多晶硅片的制绒方法，属于晶硅太阳能电池领域。

背景技术

目前，制绒是制备具有减少反射功能的硅表面的方法，将晶体硅硅片表面织构化，利用表面的陷光作用促进太阳光的吸收，提高多晶太阳能电池的转换效率。多晶硅太阳能电池的制作过程中一般都采用酸腐蚀（HF+HNO3）的方式制绒，单晶硅太阳能电池一般采用碱腐蚀（NaOH/KOH+制绒添加剂）制绒。

采用酸腐蚀的方式制绒对硅片的反射率降低有限（由30%降低至27%左右），而由于多晶硅硅片上存在多个晶向，如果直接采用碱腐蚀的方式制绒，各晶向反应速率差异较大，导致硅片表面反射率上升。

发明内容

本发明的目的是提供一种多晶硅片的制绒方法，先对多晶硅片进行酸腐蚀的方式制绒，然后再对多晶硅片进行碱腐蚀的方式制绒，不仅可以降低多晶电池片的反射率，还可以提高类单晶太阳电池电的性能参数和转换效率。

一种多晶硅片的制绒方法，将多晶硅片在温度为4-10℃的HF和HNO₃的混合酸溶液腐蚀1-2min，每片多晶硅片腐蚀量控制在0.35-0.45g；再将酸腐蚀后的多晶硅片放入温度为40-60℃的碱腐蚀溶液中3-5min，每片多晶硅片腐蚀量控制在0.05-0.1g，即得。

本发明中涉及的HF和HNO₃的混合酸溶液中HF质量浓度为6-8%，HNO₃质量浓度为35-40%。

本发明中涉及的碱腐蚀溶液是NaOH或KOH和制绒添加剂的水溶液，其中NaOH或KOH质量浓度为0.1-0.5%，制绒添加剂质量浓度为0.1-0.3%。

制绒添加剂由下列质量份数的物质组成为82.0-86.0份水、0.4-0.8份苯甲酸钠、0.2-0.4份乙酸钠、3.0-5.0份柠檬酸钠、1.0-2.0份乙二胺四乙酸二钠、8.0-10.0份葡萄糖。

本发明先用酸腐蚀的方式制绒，在多晶硅片表面形成腐蚀坑，然后用碱腐蚀的方式制绒，在酸腐蚀形成的凹坑中腐蚀出金字塔的形貌，形成更多的光陷阱，通过改变腐蚀后的硅片表面形貌结构降低多晶硅制绒后的反射率，并且提高了类单晶太阳电池电的性能参数和转换效率。

具体实施方式:

实施例1：

一种多晶硅片的制绒方法，将多晶硅片在温度为4℃的HF和HNO₃的混合酸溶液腐蚀1min，每片多晶硅片腐蚀量控制在0.35g；再将酸腐蚀后的多晶硅片放入温度为40℃的碱腐蚀溶液中3min，每片多晶硅片腐蚀量控制在0.05g，即得。

HF和HNO₃的混合酸溶液中HF质量浓度为6%，HNO₃质量浓度为35%。

碱腐蚀溶液是NaOH或KOH和制绒添加剂的水溶液，其中NaOH或KOH质量浓度为0.1%，制绒添加剂质量浓度为0.1%。

制绒添加剂由下列质量份数的物质组成为82.0份水、0.4份苯甲酸钠、0.2份乙酸钠、3.0份柠檬酸钠、1.0份乙二胺四乙酸二钠、8.0份葡萄糖。

实施例2：

一种多晶硅片的制绒方法，将多晶硅片在温度为7℃的HF和HNO₃的混合酸溶液腐蚀1.5min，每片多晶硅片腐蚀量控制在0.40g；再将酸腐蚀后的多晶硅片放入温度为50℃的碱腐蚀溶液中4min，每片多晶硅片腐蚀量控制在0.08g，即得。