[发明专利]一种晶体硅太阳能电池的扩散工艺

摘要

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的扩散工艺，主要涉及晶体硅太阳能电池生产过程中液态磷源扩散法P-N结的制备，其特征在于，进舟后首先在扩散工序的升温的过程中通少量氧气，形成一层二氧化硅薄层，使得沉积在硅片表面的磷原子必须通过二氧化硅层这层薄膜才能扩散进入硅片，从而达到均匀扩散的效果，然后先高温通源沉积，可以快速有效的溶解金属沉淀和金属复合体，再进行降温仅通氮气，再进行补源二次低温通源沉积，极大地增加了吸杂的驱动力，最后再进行推进、冷却，采用本发明工艺，能够有效提升太阳能电池的光电转换效率，极大缩短生产时间，提升生产产能，节省磷源使用量，降低生产成本，且工艺简单可行，不需要增加额外工序步骤和物料。

主权项

一种晶体硅太阳能电池的扩散工艺，采用液态磷源扩散方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步扩散：硅片装入石英舟内，（1）升温通氧，将温度升至800‑820℃，同时通入O2，用时7.8‑8.8min；（2）升温通源沉积，继续升温至835‑855℃，并通入POCl3、O2以及N2，用时3.5‑4.5min；（3）恒温通源沉积，保持温度在835‑855℃，继续通入POCl3、O2以及N2，用时6.2‑7.2min；第二步扩散：（1）低温通氮，将温度降至815‑835℃，仅通入N2，用时2.5‑3.5min；（2）低温通源沉积，保持温度至降低后的815‑835℃，并通入POCl3、O2以及N2，用时5.5‑6.5min；第三步推进、冷却：（1）推进用时6.2‑7.2min；（2）冷却用时2.8‑3.8min。