[发明专利]一种晶体硅太阳能电池的扩散工艺有效
| 申请号： | 201310338042.1 | 申请日： | 2013-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN103367551A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 付少剑;蒋文杰;何伟;刘聪;苗成祥;魏青竹;保罗 | 申请（专利权）人： | 中利腾晖光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C30B31/06 |
| 代理公司： | 苏州华博知识产权代理有限公司 32232 | 代理人： | 黄珩 |
| 地址： | 215542 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 太阳能电池 扩散 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶体硅太阳能电池的扩散工艺，采用液态磷源扩散方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步扩散：硅片装入石英舟内，（1）升温通氧，将温度升至800-820℃，同时通入O2，用时7.8-8.8min；（2）升温通源沉积，继续升温至835-855℃，并通入POCl3、O2以及N2，用时3.5-4.5min；（3）恒温通源沉积，保持温度在835-855℃，继续通入POCl3、O2以及N2，用时6.2-7.2min；第二步扩散：（1）低温通氮，将温度降至815-835℃，仅通入N2，用时2.5-3.5min；（2）低温通源沉积，保持温度至降低后的815-835℃，并通入POCl3、O2以及N2，用时5.5-6.5min；第三步推进、冷却：（1）推进用时6.2-7.2min；（2）冷却用时2.8-3.8min。
2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池的扩散工艺，其特征在于，所述通入的O2流量为150-250mL/min。
3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池的扩散工艺，其特征在于，所述通入的POCl3流量为750-850mL/min。
4.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池的扩散工艺，其特征在于，所述通入的N2流量为14000-16000mL/min。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
