[发明专利]发光二极管的外延生长方法在审
| 申请号： | 201310337540.4 | 申请日： | 2013-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN103633207A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 黄小辉;蔡武;周德保;杨东;郑远志;陈向东;康建;梁旭东 | 申请（专利权）人： | 圆融光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 黄健 |
| 地址： | 243000 安徽省马鞍山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 发明提供一种发光二极管的外延生长方法。该方法包括：在衬底上，依次生长缓冲层、非掺杂层、N型掺杂层、量子阱发光层和P型掺杂层，所述量子阱发光层包括铟镓氮InGaN量子阱层和铝镓氮AlGaN量子垒层，所述量子阱发光层采用周期生长方式进行生长。本发明提供的发光二极管的外延生长方法，采用周期生长方式生长量子阱发光层，使得量子阱发光层的位错密度可以降低一个数量级至106cm-2，极大地降低载流子溢出效应，提高量子阱发光层中的辐射复合中心数量，大电流密度下LED的效率下降现象得到有效抑制，例如大尺寸下（1mm2）使用大电流测试，LED的效率下降不超过5%。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的外延生长方法，其特征在于，包括：在衬底上，依次生长缓冲层、非掺杂层、N型掺杂层、量子阱发光层和P型掺杂层，所述量子阱发光层包括铟镓氮InGaN量子阱层和铝镓氮AlGaN量子垒层，所述量子阱发光层采用周期生长方式进行生长。
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