[发明专利]发光二极管的外延生长方法在审
| 申请号： | 201310337540.4 | 申请日： | 2013-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN103633207A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 黄小辉;蔡武;周德保;杨东;郑远志;陈向东;康建;梁旭东 | 申请（专利权）人： | 圆融光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 黄健 |
| 地址： | 243000 安徽省马鞍山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 生长 方法 | ||
1.一种发光二极管的外延生长方法，其特征在于，包括：
在衬底上，依次生长缓冲层、非掺杂层、N型掺杂层、量子阱发光层和P型掺杂层，所述量子阱发光层包括铟镓氮InGaN量子阱层和铝镓氮AlGaN量子垒层，所述量子阱发光层采用周期生长方式进行生长。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底为蓝宝石、硅、碳化硅、玻璃、铜、镍或铬；
所述缓冲层包括以下材料中的一种或多种：氮化镓GaN、氮化铟InN和氮化铝AlN。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述铝镓氮AlGaN量子垒层为GaN/AlxGayN/GaN层状结构，所述GaN/AlxGayN/GaN层状结构包括：第一GaN量子垒层、AlxGayN量子垒层和第二GaN量子垒层；
其中，x位于0～1之间，y位于0～1之间。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述量子阱发光层采用第一周期生长方式进行生长，包括：
生长所述铟镓氮InGaN量子阱层；
生长所述第一GaN量子垒层；
生长所述AlxGayN量子垒层；
生长所述第二GaN量子垒层。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述量子阱发光层采用X次所述第一周期生长方式进行生长；
其中，X位于2～20之间。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述铝镓氮AlGaN量子垒层为GaN/AlmGanN超晶格结构，所述GaN/AlmGanN超晶格结构包括：第三GaN量子垒层和AlmGanN层；
其中，m位于0～1之间，n位于0～1之间。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述量子阱发光层采用第二周期生长方式进行生长，包括：
生长所述铟镓氮InGaN量子阱层；
采用第三周期方式生长所述AlGaN量子垒层，包括：
生长所述第三GaN量子垒层；
生长所述AlmGanN量子垒层。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述AlGaN量子垒层采用Y次所述第三周期生长方式进行生长；
其中，Y位于2～20之间。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述量子阱发光层采用Z次所述第二周期生长方式进行生长；
其中，Z位于2～20之间。
10.根据权利要求1-9任一项所述的方法，其特征在于，所述AlGaN量子垒层的能带图呈锯齿形分布。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于圆融光电科技有限公司，未经圆融光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310337540.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
