[发明专利]一种湿法刻蚀工艺的控制方法有效
| 申请号： | 201310337525.X | 申请日： | 2013-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN103441089A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 陈毅俊;明玉亮 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种湿法刻蚀工艺的控制方法，所述方法包括：提供需要进行湿法刻蚀工艺的产品；根据所述产品的数据信息和所述湿法刻蚀工艺的参数信息获取对该产品进行所述湿法刻蚀工艺的工艺条件；根据所述湿法刻蚀工艺的参数信息选择相应的盛放有刻蚀药液的刻蚀设备；通过所述刻蚀设备获取所述刻蚀药液的使用状况数据；判断所述使用状况数据是否符合所述工艺条件，以确定是否对所述产品进行所述湿法刻蚀工艺。本发明可以对产品的湿法刻蚀工艺进行控制，避免了产品在不满足刻蚀条件的药液中进行湿法刻蚀工艺，从而进一步提高了湿法刻蚀工艺的稳定性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 湿法 刻蚀 工艺 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种湿法刻蚀工艺的控制方法，其特征在于，所述方法包括：提供需要进行湿法刻蚀工艺的产品；根据所述产品的数据信息和所述湿法刻蚀工艺的参数信息获取对该产品进行所述湿法刻蚀工艺的工艺条件；根据所述湿法刻蚀工艺的参数信息选择相应的盛放有刻蚀药液的刻蚀设备；通过所述刻蚀设备获取所述刻蚀药液的使用状况数据；判断所述使用状况数据是否符合所述工艺条件，以确定是否对所述产品进行所述湿法刻蚀工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
