[发明专利]一种湿法刻蚀工艺的控制方法有效
申请号: | 201310337525.X | 申请日: | 2013-08-02 |
公开(公告)号: | CN103441089A | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 陈毅俊;明玉亮 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 竺路玲 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 湿法 刻蚀 工艺 控制 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种半导体工艺控制方法,尤其涉及一种湿法刻蚀工艺的控制方法。
背景技术
半导体器件作为一种精密度要求很高的产品,在其生产过程中的任何一点误差就会对器件的性能产生影响,这尤其体现在如今结构越发复杂的集成电路器件中。因此,在半导体的生产过程中需要对工艺环节进行控制。
湿法刻蚀工艺是半导体制造过程中十分常见的工艺手段,大量存在于如今的半导体制造工艺中。在湿法刻蚀工艺中需要使用到湿法刻蚀设备,目前常用的湿法刻蚀设备通常采用生命周期(Life time)和处理产品的数量(Wafer count)这两个指标来衡量湿法刻蚀药液是否可以继续运用于湿法刻蚀工艺中。当上述两个指标中的其中一个超过了设定值之后,那么则表明当前药液已经不能再继续使用,需要进行更换。这可以通过对设备进行设置,从而使得设备在上述两个指标中的任意一个指标达到设定值之后,对湿法刻蚀药液进行更换。
但是,在实际生产过程中发现,更换好的药液在对不同的产品进行湿法刻蚀过程中所反应出的工艺影响是不同的,在长期的监控中发 现,更换好的新药液在对一部分产品进行处理后,会形成气体残留在硅片的表面,从而影像产品质量,这一部分产品对湿法刻蚀液的敏感度较高,因此较为特殊。而针对这种生产中出现的不利影响,通过实验发现,当新药液被放置一段时间之后,这些气体就会挥发,当挥发完全后,再使用该药液对这一部分特殊产品进行处理就不会形成气体残留的不利影响。因此,为了确保生产过程中的工艺稳定性和工艺质量,十分有必要对这一部分特殊产品的湿法刻蚀工艺进行控制。
如果需要进行加工的产品是一般产品,用于对其加工的湿法刻蚀新药液就不需要进行等待放置,可以直接用于工艺中;而相反地如果需要进行加工的产品是特殊产品,则用于对其加工的湿法刻蚀新药液就需要进行等待放置,以充分挥发其中对工艺有影响的气体。由于在目前业界所采用的湿法刻蚀设备中只针对生命周期和处理产品数量这两个指标进行管理,而仅通过这两个指标并不能知道所要进行处理的产品是特殊产品还是一般产品。所以不能针对性的对工艺进行控制。而如果普遍采用更换好新药液之后都进行等待,则会使工艺时间增长,进而影响生产进度和效率。
中国专利(CN203034101U)公开了一种湿法刻蚀并联供液系统,包括药品柜和通过第一管路与药品相连的第一湿法刻蚀设备;还包括第二湿法刻蚀设备,其包括设有第一阀门的内部管路;分别用于控制第一阀门开闭以及控制药品柜的第二控制器的信号输入线路通断的第一控制器,第一控制器与信号输入线路相联;连接在内部管路与药品柜之间的第二管路,第二管路与第一管路并联。该发明能够实 现新的湿法刻蚀设备与旧的药品柜配套使用,省去了对新购置的药品柜在使用中进行日常维护和备件更换等问题,但是其并没有解决上述的针对一般产品和特殊产品所确定湿法刻蚀液的放置时间的技术问题。
可见,目前尚不存在一种对湿法刻蚀药液进行精细化管控的方法。
发明内容
鉴于上述问题,本发明提供一种湿法刻蚀工艺的控制方法。
本发明解决技术问题所采用的技术方案为:
一种湿法刻蚀工艺的控制方法,其中,所述方法包括:
提供需要进行湿法刻蚀工艺的产品;
根据所述产品的数据信息和所述湿法刻蚀工艺的参数信息获取对该产品进行所述湿法刻蚀工艺的工艺条件;
根据所述湿法刻蚀工艺的参数信息选择相应的盛放有刻蚀药液的刻蚀设备;
通过所述刻蚀设备获取所述刻蚀药液的使用状况数据;
判断所述使用状况数据是否符合所述工艺条件,以确定是否对所述产品进行所述湿法刻蚀工艺。
所述的湿法刻蚀工艺的控制方法,其中,提供一设备自动化系统,通过所述设备自动化系统获取所述工艺条件和所述药液的使用状况数据。
所述的湿法刻蚀工艺的控制方法,其中,提供一错误发现及分析系统,由所述错误发现及分析系统对所述使用状况数据是否符合所述工艺条件进行判断。
所述的湿法刻蚀工艺的控制方法,其中,还提供一生产管理系统,所述方法还包括:
所述生产管理系统将所述工艺条件发送给所述设备自动化系统;
所述设备自动化系统向所述刻蚀设备发送需要获取所述刻蚀设备中药液的使用状况数据的信息;
所述刻蚀设备将所述药液的使用状况数据的信息回复给所述设备自动化系统;
由所述设备自动化系统将所述工艺条件与所述药液的使用状况数据的信息发送给所述错误发现及分析系统;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司,未经上海华力微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310337525.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:SiGe异质结双极晶体管
- 下一篇:一种芯片倒装BGA封装方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造