[发明专利]包括具有底部氧化物衬垫和上氮化物衬垫的浅沟槽隔离(STI)区域的电子器件和相关方法无效
| 申请号： | 201310337452.4 | 申请日： | 2013-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN103633084A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 柳青;N·劳贝特;P·卡雷;S·波诺斯;M·维纳特;B·多丽丝 | 申请（专利权）人： | 意法半导体公司;国际商业机器公司;法国原子能及替代能源委员会 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/092;H01L21/762;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张宁 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 种电子器件可以包括衬底、覆盖衬底的掩埋氧化物(BOX)层、覆盖BOX层的至少一个半导体器件和在衬底中并且与至少一个半导体器件相邻的至少一个浅沟槽隔离(STI)区域。至少一个STI区域与衬底限定侧壁表面并且可以包括对侧壁表面的底部分加衬的氧化物层、对侧壁表面的在底部分以上的上部分加衬的氮化物层和在氮化物与氧化物层之间的绝缘材料。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 具有 底部 氧化物 衬垫 氮化物 沟槽 隔离 sti 区域 电子器件 相关 方法 | ||
【主权项】：
一种电子器件，包括：衬底；覆盖所述衬底的掩埋氧化物(BOX)层；覆盖所述BOX层的至少一个半导体器件；以及在所述衬底中并且与所述至少一个半导体器件相邻的至少一个浅沟槽隔离(STI)区域，所述至少一个STI区域与所述衬底限定侧壁表面并且包括：对所述侧壁表面的底部分加衬的氧化物层，对所述侧壁表面的在所述底部分以上的顶部分加衬的氮化物层，以及在所述氮化物层和所述氧化物层内的绝缘材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
