[发明专利]集成电路系统、图像传感器系统及其制作方法有效
申请号: | 201310336858.0 | 申请日: | 2013-08-05 |
公开(公告)号: | CN103811506A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 钱胤;戴幸志;代铁军;毛杜立;杨存宇;霍华·E·罗狄丝 | 申请(专利权)人: | 全视科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 齐杨 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本申请案涉及一种集成电路系统、图像传感器系统及其制作方法。集成电路系统包含在电介质的接合界面处接合到第二装置晶片的第一装置晶片。每一晶片包含多个裸片,其中每一裸片包含装置、金属堆叠以及形成于所述裸片的边缘区处的密封环。包含于所述第二装置晶片的裸片中的密封环各自包含具备形成于第一开口中的金属的第一导电路径,所述第一导电路径从所述第二装置晶片的背侧、穿过所述第二装置晶片且穿过所述接合界面延伸到所述第一装置晶片中的对应裸片的所述密封环。 | ||
搜索关键词: | 集成电路 系统 图像传感器 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种集成电路系统,其包括第一装置晶片,其具有多个第一裸片,每一第一裸片包含,第一装置,其形成于所述第一装置晶片的第一半导体层中;第一金属堆叠,其安置于所述第一半导体层上,其中所述第一金属堆叠包含至少一个第一金属层及至少一个第一电介质层;及第一密封环,其包含于所述第一金属堆叠中且形成于所述第一裸片的边缘区中;及第二装置晶片,其具有多个第二裸片,每一第二裸片包含,第二装置,其形成于所述第二装置晶片的第二半导体层中;第二金属堆叠,其安置于所述第二半导体层上,其中所述第二金属堆叠包含至少一个第二金属层及至少一个第二电介质层,且其中所述第二装置晶片的前侧在所述第一电介质层与所述第二电介质层之间的接合界面处接合到所述第一装置晶片的前侧;及第二密封环,其包含于所述第二金属堆叠中且形成于所述第二裸片的边缘区中,其中所述第二密封环包含具备形成于第一开口中的金属的第一导电路径,所述第一导电路径从所述第二装置晶片的背侧、穿过所述第二装置晶片且穿过所述接合界面延伸到所述第一密封环。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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