[发明专利]集成电路系统、图像传感器系统及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201310336858.0 申请日: 2013-08-05
公开(公告)号: CN103811506A 公开(公告)日: 2014-05-21
发明(设计)人: 钱胤;戴幸志;代铁军;毛杜立;杨存宇;霍华·E·罗狄丝 申请(专利权)人: 全视科技有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 齐杨
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 本申请案涉及一种集成电路系统、图像传感器系统及其制作方法。集成电路系统包含在电介质的接合界面处接合到第二装置晶片的第一装置晶片。每一晶片包含多个裸片,其中每一裸片包含装置、金属堆叠以及形成于所述裸片的边缘区处的密封环。包含于所述第二装置晶片的裸片中的密封环各自包含具备形成于第一开口中的金属的第一导电路径,所述第一导电路径从所述第二装置晶片的背侧、穿过所述第二装置晶片且穿过所述接合界面延伸到所述第一装置晶片中的对应裸片的所述密封环。
搜索关键词: 集成电路 系统 图像传感器 及其 制作方法
【主权项】:
一种集成电路系统,其包括第一装置晶片,其具有多个第一裸片,每一第一裸片包含,第一装置,其形成于所述第一装置晶片的第一半导体层中;第一金属堆叠,其安置于所述第一半导体层上,其中所述第一金属堆叠包含至少一个第一金属层及至少一个第一电介质层;及第一密封环,其包含于所述第一金属堆叠中且形成于所述第一裸片的边缘区中;及第二装置晶片,其具有多个第二裸片,每一第二裸片包含,第二装置,其形成于所述第二装置晶片的第二半导体层中;第二金属堆叠,其安置于所述第二半导体层上,其中所述第二金属堆叠包含至少一个第二金属层及至少一个第二电介质层,且其中所述第二装置晶片的前侧在所述第一电介质层与所述第二电介质层之间的接合界面处接合到所述第一装置晶片的前侧;及第二密封环,其包含于所述第二金属堆叠中且形成于所述第二裸片的边缘区中,其中所述第二密封环包含具备形成于第一开口中的金属的第一导电路径,所述第一导电路径从所述第二装置晶片的背侧、穿过所述第二装置晶片且穿过所述接合界面延伸到所述第一密封环。
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