[发明专利]集成电路系统、图像传感器系统及其制作方法

权利要求书

1.一种集成电路系统，其包括

第一装置晶片，其具有多个第一裸片，每一第一裸片包含，

第一装置，其形成于所述第一装置晶片的第一半导体层中；

第一金属堆叠，其安置于所述第一半导体层上，其中所述第一金属堆叠包含至少一个第一金属层及至少一个第一电介质层；及

第一密封环，其包含于所述第一金属堆叠中且形成于所述第一裸片的边缘区中；及

第二装置晶片，其具有多个第二裸片，每一第二裸片包含，

第二装置，其形成于所述第二装置晶片的第二半导体层中；

第二金属堆叠，其安置于所述第二半导体层上，其中所述第二金属堆叠包含至少一个第二金属层及至少一个第二电介质层，且其中所述第二装置晶片的前侧在所述第一电介质层与所述第二电介质层之间的接合界面处接合到所述第一装置晶片的前侧；及

第二密封环，其包含于所述第二金属堆叠中且形成于所述第二裸片的边缘区中，其中所述第二密封环包含具备形成于第一开口中的金属的第一导电路径，所述第一导电路径从所述第二装置晶片的背侧、穿过所述第二装置晶片且穿过所述接合界面延伸到所述第一密封环。

2.根据权利要求1所述的集成电路系统，其中所述第一及第二装置安置于所述第一及第二裸片的集成电路区中，且其中所述第一及第二密封环环绕所述集成电路区。

3.根据权利要求2所述的集成电路系统，其进一步包括具备形成于所述第二裸片的所述集成电路区内的第二开口中的金属的第二导电路径，所述第二导电路径从所述第二装置晶片的所述背侧、穿过所述第二装置晶片且穿过所述接合界面延伸，以用于将所述第一金属堆叠的第一导体与所述第二金属堆叠的第二导体电耦合。

4.根据权利要求1所述的集成电路系统，其中所述第一导电路径在所述接合界面处的宽度小于所述第一导电路径在所述金属堆叠的背表面处的宽度。

5.根据权利要求1所述的集成电路系统，其中所述第一导电路径进一步包括沉积于所述第一开口中的势垒金属沉积物，其中所述第二密封环通过所述势垒金属沉积物耦合到所述第一密封环。

6.根据权利要求1所述的集成电路系统，其进一步包括安置于所述第一导电路径与所述第二半导体层之间的氧化物沉积物。

7.根据权利要求6所述的集成电路系统，其进一步包括安置于所述第二装置晶片的所述背侧与所述第二半导体层之间的钝化层。

8.一种成像传感器系统，其包括：

第一装置晶片，其具有多个第一裸片，每一第一裸片包含，

第一装置，其形成于所述第一装置晶片的第一半导体层中；

第一金属堆叠，其安置于所述第一半导体层上，其中所述第一金属堆叠包含至少一个第一金属层及至少一个第一电介质层；及

第一密封环，其包含于所述第一金属堆叠中且形成于所述第一裸片的边缘区中；及

第二装置晶片，其具有多个第二裸片，每一第二裸片包含，

第二装置，其形成于所述第二装置晶片的第二半导体层中，其中所述第一装置及所述第二装置中的一者包含互补金属氧化物半导体CMOS成像阵列；

第二金属堆叠，其安置于所述第二半导体层上，其中所述第二金属堆叠包含至少一个第二金属层及至少一个第二电介质层，且其中所述第二装置晶片的前侧在所述第一电介质层与所述第二电介质层之间的接合界面处接合到所述第一装置晶片的前侧；及

第二密封环，其包含于所述第二金属堆叠中且形成于所述第二裸片的边缘区中，其中所述第二密封环包含具备形成于第一开口中的金属的第一导电路径，所述第一导电路径从所述第二装置晶片的背侧、穿过所述第二装置晶片且穿过所述接合界面延伸到所述第一密封环。

9.根据权利要求8所述的成像传感器系统，其中所述第一及第二装置安置于所述第一及第二裸片的集成电路区中，且其中所述第一及第二密封环环绕所述集成电路区。

10.根据权利要求9所述的成像传感器系统，其进一步包括具备形成于所述第二裸片的所述集成电路区内的第二开口中的金属的第二导电路径，所述第二导电路径从所述第二装置晶片的所述背侧、穿过所述第二装置晶片且穿过所述接合界面延伸，以用于将所述第一金属堆叠的第一导体与所述第二金属堆叠的第二导体电耦合。