[发明专利]半导体器件及其形成方法、启动电路及开关电源

摘要

本发明提供了一种半导体器件及其形成方法、启动电路及包括启动电路的开关电源。其中，半导体器件包括：P型的半导体衬底及N型漂移区，N型漂移区两端的负阈值场效应管的源极和漏极；暴露出源极和漏极的氧化层和氧化层上靠近源极一端的本征多晶硅层和靠近漏极一端的掺杂多晶硅层，其中，本征多晶硅层与氧化层构成负阈值场效应管的栅极，掺杂多晶硅层构成与栅极相连的电阻；连接负阈值场效应管的漏极，并紧邻掺杂多晶硅层金属插塞。所述半导体器件中，负阈值电压场效应管的漏极和栅极连接的电阻形成在漏极和栅极之间的半导体衬底上，且与漏极共用金属插塞，不仅节省了芯片面积，还通过端口共用减少了金属互连，提高了半导体器件的可靠性。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，掺杂类型为P型；负阈值场效应管的N型漂移区，位于所述半导体衬底的表面；负阈值场效应管的源极和漏极，分别位于所述负阈值场效应管的N型漂移区的两端；氧化层，位于所述N型漂移区上，其中设置有第一开口和第二开口，所述第一开口和第二开口分别暴露出所述负阈值场效应管的源极和漏极；多晶硅层，位于所述氧化层上，包括位于靠近源极一端的本征多晶硅层和靠近漏极一端的掺杂多晶硅层，其中，所述本征多晶硅层与其正下方的所述氧化层构成所述负阈值场效应管的栅极，所述掺杂多晶硅层构成与所述栅极相连的电阻；金属插塞，连接所述负阈值场效应管的漏极，并紧邻所述掺杂多晶硅层。