[发明专利]半导体器件及其形成方法、启动电路及开关电源

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体衬底，掺杂类型为P型；

负阈值场效应管的N型漂移区，位于所述半导体衬底的表面；

负阈值场效应管的源极和漏极，分别位于所述负阈值场效应管的N型漂移区的两端；

氧化层，位于所述N型漂移区上，其中设置有第一开口和第二开口，所述第一开口和第二开口分别暴露出所述负阈值场效应管的源极和漏极；

多晶硅层，位于所述氧化层上，包括位于靠近源极一端的本征多晶硅层和靠近漏极一端的掺杂多晶硅层，其中，所述本征多晶硅层与其正下方的所述氧化层构成所述负阈值场效应管的栅极，所述掺杂多晶硅层构成与所述栅极相连的电阻；

金属插塞，连接所述负阈值场效应管的漏极，并紧邻所述掺杂多晶硅层。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

MOSFET，为N型半导体器件，形成于所述半导体衬底表面；

所述MOSFET与所述负阈值场效应管共用漏极。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述MOSFET为LDMOS，包括LDMOS的N型漂移区，所述LDMOS的N型漂移区与所述负阈值场效应的N型漂移区相连。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述LDMOS中设置有RESURF结构或埋层结构。

5.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述MOSFET多于一个，所述多个MOSFET的漏极彼此相连。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述负阈值场效应管为耗尽型JEFT。

7.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底为P型半导体衬底，包括负阈值场效应管区域；

利用第一掺杂工艺对所述半导体衬底进行N型掺杂，以在所述负阈值场效应管区域中形成所述负阈值场效应管的N型漂移区；

在所述半导体衬底上形成氧化层；

利用光刻和刻蚀工艺，在所述氧化层中形成暴露出所述半导体衬底表面的第一开口、第二开口，所述第一开口和第二开口分别位于所述负阈值场效应管的N漂移区的两端；

利用第二掺杂工艺以所述氧化层为掩膜对所述半导体衬底进行N型掺杂，以形成所述负阈值场效应管的源极和漏极，所述第一开口和第二开口分别对应所述负阈值场效应管的源极和漏极；

在所述第一开口和第二开口之间的氧化层上形成多晶硅层；

利用第三掺杂工艺对所述多晶硅层靠近所述负阈值场效应管的漏极的一端进行掺杂，以形成所述电阻；

在所述负阈值场效应管的漏极上方形成金属插塞，所述金属插塞还与所述电阻紧邻。

8.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于：

所述半导体衬底还包括与所述负阈值场效应管区域紧邻的MOS区域，所述负阈值场效应管的N型漂移区一端位于所述负阈值场效应管区域和所述MOS区域的交界处；

所述利用光刻和刻蚀工艺，在所述氧化层中形成暴露所述半导体衬底表面的第一开口、第二开口的步骤中，还形成有第三开口，所述第一开口位于所述N型漂移区远离所述MOS区域的一端，所述第二开口位于所述负阈值场效应管区域和MOS区域交界处的上方，所述第三开口位于所述MOS区域中；

所述利用第二掺杂工艺以所述氧化层为掩膜对所述半导体衬底进行N型掺杂，以形成所述负阈值场效应管的源极和漏极的步骤中，还形成有MOSFET的源极和与所述负阈值场效应管共用的漏极，所述第一开口对应所述负阈值场效应管的源极，所述第二开口对应所述负阈值场效应管和MOSFET共用的漏极，所述第三开口对应所述MOSFET的源极；

所述在所述氧化层上形成多晶硅层的步骤中，还在所述第二开口和所述第三开口之间的所述氧化层上形成多晶硅层，以构成与其正下方的氧化层构成所述MOSFET的栅极。

9.如权利要求8所述的形成方法，其特征在于，在利用第一掺杂工艺形成位于所述负阈值场效应管区域的N型漂移区时，还包括在所述MOS区域形成所述MOSFET的N型漂移区，所述MOSFET的N型漂移区和所述负阈值场效应管区域的N型漂移区连通。