[发明专利]透明铌酸镁铋薄膜压控变容管的制备方法有效
| 申请号： | 201310334109.4 | 申请日： | 2013-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN103397303A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 李玲霞;于仕辉;董和磊;许丹;金雨馨 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 张宏祥 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种透明铌酸镁铋薄膜压控变容管的制备方法：采用固相烧结法制备Bi1.5MgNb1.5O7靶材，烧成温度为1150～1180℃；再将清洁干燥的氧化铟锡玻璃衬底放入磁控溅射样品台上；使用Ar和O2作为溅射气体，沉积得到Bi1.5MgNb1.5O7薄膜，再于氧气气氛炉中进行后退火处理；然后利用掩膜版在Bi1.5MgNb1.5O7薄膜上面制备金属电极。本发明的变容管透明性高，调谐率适中，且器件稳定性好，制备工艺简单、电极性能优良，制备过程中无重金属中毒或污染现象，具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 铌酸镁铋 薄膜 压控变容管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种透明铌酸镁铋薄膜压控变容管的制备方法，具体步骤如下：（1）采用固相烧结法制备Bi1.5MgNb1.5O7靶材按Bi1.5MgNb1.5O7对应元素的化学计量比称取原料Bi2O3，MgO和Nb2O5，充分混合后压制成型，置于电炉中于1150～1180℃烧制Bi1.5MgNb1.5O7靶材；（2）将清洁干燥的氧化铟锡玻璃衬底放入磁控溅射样品台上；（3）将磁控溅射系统的本底真空抽至P<9.0×10‑6Torr，然后加热衬底至400～700℃；（4）在步骤（3）系统中，使用Ar和O2作为溅射气体，溅射功率为100～200W，进行沉积得到Bi1.5MgNb1.5O7薄膜；（5）步骤（4）停止后，待衬底温度降至100℃以下时，取出样品，在氧气气氛炉中进行后退火处理；（6）步骤（5）结束后，在Bi1.5MgNb1.5O7薄膜上面利用掩膜版制备金属电极。
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