[发明专利]透明铌酸镁铋薄膜压控变容管的制备方法

权利要求书

1.一种透明铌酸镁铋薄膜压控变容管的制备方法，具体步骤如下：

（1）采用固相烧结法制备Bi_1.5MgNb_1.5O₇靶材

按Bi_1.5MgNb_1.5O₇对应元素的化学计量比称取原料Bi₂O₃，MgO和Nb₂O₅，充分混合后压制成型，置于电炉中于1150～1180℃烧制Bi_1.5MgNb_1.5O₇靶材；

（2）将清洁干燥的氧化铟锡玻璃衬底放入磁控溅射样品台上；

（3）将磁控溅射系统的本底真空抽至P<9.0×10^-6Torr，然后加热衬底至400～700℃；

（4）在步骤（3）系统中，使用Ar和O₂作为溅射气体，溅射功率为100～200W，进行沉积得到Bi_1.5MgNb_1.5O₇薄膜；

（5）步骤（4）停止后，待衬底温度降至100℃以下时，取出样品，在氧气气氛炉中进行后退火处理；

（6）步骤（5）结束后，在Bi_1.5MgNb_1.5O₇薄膜上面利用掩膜版制备金属电极。

2.根据权利要求1的透明铌酸镁铋薄膜压控变容管的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）的原料Bi₂O₃，MgO和Nb₂O₅的纯度均在99%以上。

3.根据权利要求1的透明铌酸镁铋薄膜压控变容管的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）的衬底为商用的普通ITO玻璃衬底，采用N₂气吹干。

4.根据权利要求1的透明铌酸镁铋薄膜压控变容管的制备方法，其特征在于，所述步骤（4）的Ar和O₂的纯度均在99.99%以上，磁控溅射系统中的氧气和氩气的分压比在1/15与1/4之间。

5.根据权利要求1的透明铌酸镁铋薄膜压控变容管的制备方法，其特征在于，所述步骤（4）沉积得到的Bi_1.5MgNb_1.5O₇薄膜的厚度为200nm，可通过调节工艺参数或者沉积时间控制薄膜厚度。

6.根据权利要求1的透明铌酸镁铋薄膜压控变容管的制备方法，其特征在于，所述步骤（5）的氧气氛炉中通入的氧气压强≤0.1Mpa，氧气纯度≥99%；所述退火温度≤700℃，退火时间为5～60min。

7.根据权利要求1的透明铌酸镁铋薄膜压控变容管的制备方法，其特征在于，所述步骤（6）的电极为圆形电极，直径≤0.2mm，电极材料为Au或Pt；电极制备方法为热蒸镀法或者溅射法。

8.根据权利要求1的透明铌酸镁铋薄膜压控变容管的制备方法，其特征在于，所制备的透明铌酸镁铋薄膜压控变容管的透过率≥75；调谐率≥20%，@1MHz。