[发明专利]一种绝缘栅双极性晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 201310330586.3 | 申请日： | 2013-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN104347404B | 公开（公告）日： | 2017-11-10 |
| 发明（设计）人： | 邓小社;芮强;张硕;王根毅 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/265 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司32236 | 代理人： | 庞聪雅,茅泉美 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种绝缘栅双极性晶体管的制造方法，包括，提供第一导电类型的半导体衬底，该半导体衬底具有第一主面和第二主面；在第一导电类型的半导体衬底的有源区的第一主面外侧形成第二导电类型的保护终端，在第一导电类型的半导体衬底的有源区第一主面形成第二导电类型的基区；在该半导体衬底的第一主面基于形成的基区形成绝缘栅双极性晶体管的剩余第一主面结构；在该半导体衬底的第二主面侧形成绝缘栅双极性晶体管的第二主面结构。本发明在不增加热过程甚至减少热过程的前提下，将阱结深扩的较深，提高了抗闩锁能力，提高了产品的应用可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 极性 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅双极性晶体管的制造方法，其特征在于：包括，提供第一导电类型的半导体衬底，该半导体衬底具有第一主面和第二主面；在第一导电类型的半导体衬底的第一主面上生成氧化层；保护终端光刻、蚀刻、第二导电类型离子注入，同时，第二导电类型的基区光刻、蚀刻、第二导电类型离子注入；推阱形成保护终端和所述基区；在该半导体衬底的第一主面基于形成的基区形成绝缘栅双极性晶体管的包括栅氧化层和多晶硅栅极的剩余第一主面结构，具体的，首先在800℃～850℃时干氧5min,之后根据需要的氧化层厚度进行H2‑O2合成氧化,再在800℃～850℃干氧氧化3min～5min,最后在860℃～875℃时N2气氛中退火20min～30min，形成厚度为的栅氧化层；在该半导体衬底的第二主面侧形成绝缘栅双极性晶体管的第二主面结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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