[发明专利]一种绝缘栅双极性晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种绝缘栅双极性晶体管的制造方法，其特征在于：包括，

提供第一导电类型的半导体衬底，该半导体衬底具有第一主面和第二主面；

在第一导电类型的半导体衬底的第一主面上生成氧化层；

保护终端光刻、蚀刻、第二导电类型离子注入，同时，第二导电类型的基区光刻、蚀刻、第二导电类型离子注入；

推阱形成保护终端和所述基区；

在该半导体衬底的第一主面基于形成的基区形成绝缘栅双极性晶体管的包括栅氧化层和多晶硅栅极的剩余第一主面结构，具体的，首先在800℃～850℃时干氧5min,之后根据需要的氧化层厚度进行H₂-O₂合成氧化,再在800℃～850℃干氧氧化3min～5min,最后在860℃～875℃时N₂气氛中退火20min～30min，形成厚度为的栅氧化层；

在该半导体衬底的第二主面侧形成绝缘栅双极性晶体管的第二主面结构。

2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极性晶体管的制造方法，其特征在于：

其还包括，

在第一导电类型的半导体衬底的第一主面上形成绝缘栅双极性晶体管的第一主电极；

在半导体衬底的第二主面朝向所述半导体衬底内部形成第二导电类型的第二半导体层；

在第二半导体层形成后的半导体衬底的第二主面上形成与第二半导体层接触的绝缘栅双极性晶体管的第二主电极。

3.根据权利要求1～2任一所述的绝缘栅双极性晶体管的制造方法，其特征在于：第一导电类型为N型，第二导电类型为P型，所述半导体衬底为N-型衬底，其中N-、N+、P+中的“+”表示掺杂浓度高，“-”表示掺杂浓度低。

4.根据权利要求1所述的绝缘栅双极性晶体管的制造方法，其特征在于：在所述半导体衬底的第一主面上形成的氧化层的厚度为

5.根据权利要求1所述的绝缘栅双极性晶体管的制造方法，其特征在于：推阱形成保护终端是在温度1100℃～1250℃的条件下高温推阱20min～2000min。