[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管的制造方法在审
| 申请号： | 201310326149.4 | 申请日： | 2013-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN104347402A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 邓小社;芮强;张硕;王根毅 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 庞聪雅;茅泉美 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管的制造方法，包括，提供第一导电类型的半导体衬底，该半导体衬底具有第一主面和第二主面；在所述半导体衬底的第二主面形成第一导电类型的场终止层；在所述半导体衬底的第一主面有选择的形成第二导电类型的基区；在形成有所述基区的所述半导体衬底的第一主面继续形成所述绝缘栅双极型晶体管的第一主面结构；和在形成有所述场终止层的所述半导体衬底的第二主面继续形成所述绝缘栅双极型晶体管的剩余第二主面结构。本方法可以制作出具有高击穿电压、低漏电、导通压降正温度系数、低开关损耗且工序简单产品可靠性高的IGBT。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 栅双极型 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅双极型晶体管的制造方法，其特征在于：包括，提供第一导电类型的半导体衬底，该半导体衬底具有第一主面和第二主面；在所述半导体衬底的第二主面形成第一导电类型的场终止层；在所述半导体衬底的第一主面有选择的形成第二导电类型的基区；在形成有所述基区的所述半导体衬底的第一主面继续形成所述绝缘栅双极型晶体管的第一主面结构；在形成有所述场终止层的所述半导体衬底的第二主面继续形成所述绝缘栅双极型晶体管的剩余第二主面结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
