[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管的制造方法在审
| 申请号： | 201310326149.4 | 申请日： | 2013-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN104347402A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 邓小社;芮强;张硕;王根毅 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 庞聪雅;茅泉美 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 栅双极型 晶体管 制造 方法 | ||
1.一种绝缘栅双极型晶体管的制造方法，其特征在于：包括，
提供第一导电类型的半导体衬底，该半导体衬底具有第一主面和第二主面；
在所述半导体衬底的第二主面形成第一导电类型的场终止层；
在所述半导体衬底的第一主面有选择的形成第二导电类型的基区；
在形成有所述基区的所述半导体衬底的第一主面继续形成所述绝缘栅双极型晶体管的第一主面结构；
在形成有所述场终止层的所述半导体衬底的第二主面继续形成所述绝缘栅双极型晶体管的剩余第二主面结构。
2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管的制造方法，其特征在于：所述在形成有所述基区的所述半导体衬底的第一主面继续形成所述绝缘栅双极型晶体管的第一主面结构包括：
在形成有所述基区的所述半导体衬底的第一主面上形成栅氧化层；
在所述栅氧化层上积淀形成多晶硅层；
有选择的在所述栅氧层和所述多晶硅层上经过光刻、刻蚀工艺制得有源区注入窗口，自所述有源区注入窗口向所述基区注入第一导电类型的杂质以形成有源区；
在刻蚀有注入窗口的多晶硅层上形成介质层；
在所述介质层上有选择的光刻、刻蚀出与所述有源区和所述基区相通的接触孔；
在所述介质层上形成金属层以形成所述绝缘栅双极型晶体管的第一电极。
3.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管的制造方法，其特征在于：
所述在形成有所述场终止层的所述半导体衬底的第二主面继续形成所述绝缘栅双极型晶体管的剩余第二主面结构包括：
自所述半导体衬底的第二主面向所述场终止层注入第二导电类型的杂质以形成注入区；
在所述注入区上形成金属层以形成所述绝缘栅双极型晶体管的第一电极。
4.根据权利要求1～3任一所述的绝缘栅双极型晶体管的制造方法，其特征在于：
第一导电类型为N型，第二导电类型为P型，
所述有源区为N+有源区，所述注入区为P+集电极区，第一电极为发射极，第二电极为集电极。
5.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管的制造方法，其特征在于：通过离子注入、高温推阱、激活工艺在所述半导体衬底的第二主面形成第一导电类型的场终止层。
6.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管的制造方法，其特征在于：通过离子注入、高温推阱、激活工艺在所述半导体衬底的第一主面有选择的形成第二导电类型的基区。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
