[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 201310325316.3 | 申请日： | 2013-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN104064585A | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 西川幸江;高桥宣博;柴田浩延 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861;H01L29/04 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 杨谦;房永峰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 实施方式提供一种实现了高耐压和低损失性这两者的半导体装置。实施方式涉及的半导体装置具备：第1导电型的第1半导体层；第2半导体层，具有设置于所述第1半导体层之上的立方晶体结构；电极，设置于所述第2半导体层之上；以及反应部，设置于所述第2半导体层与所述电极之间。所述第2半导体层具有相对于（100）晶面倾斜的上表面。所述反应部含有构成所述第2半导体层的至少1种元素和构成所述电极的至少1种元素，具有向所述第2半导体层侧延伸的突起。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：第1导电型的第1半导体层；第2导电型的第2半导体层，具有设置于所述第1半导体层之上的立方晶体结构，具有相对于（100）晶面倾斜的上表面；电极，设置于所述上表面之上；以及反应部，设置于所述第2半导体层与所述电极之间，含有构成所述第2半导体层的至少1种元素和构成所述电极的至少1种元素，具有向所述第2半导体层侧延伸的突起。
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