[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 201310325316.3 | 申请日： | 2013-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN104064585A | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 西川幸江;高桥宣博;柴田浩延 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861;H01L29/04 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 杨谦;房永峰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
第1导电型的第1半导体层；
第2导电型的第2半导体层，具有设置于所述第1半导体层之上的立方晶体结构，具有相对于（100）晶面倾斜的上表面；
电极，设置于所述上表面之上；以及
反应部，设置于所述第2半导体层与所述电极之间，含有构成所述第2半导体层的至少1种元素和构成所述电极的至少1种元素，具有向所述第2半导体层侧延伸的突起。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述电极包含铝。
3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
所述上表面从（100）晶面向[011]晶向倾斜。
4.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
所述上表面相对于（100）晶面的倾斜角大于等于14度小于等于38度。
5.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
所述反应部是在所述第2半导体层侧具有顶点的四角锥；
所述四角锥的侧面与所述第2半导体层的（111）晶面平行。
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