[发明专利]借助于气敏场效应晶体管测量气体参数的方法和控制设备

摘要

本发明涉及一种借助于气敏场效应晶体管测量气体参数的方法。该方法具有如下步骤：在准备时间段期间给场效应晶体管的栅极施加准备电压。该方法还具有如下步骤：在紧接在准备时间段之后的检测时间段期间检测场效应晶体管的源极接线端子与漏极接线端子之间的测量参数，其中在检测测量参数的期间将检测电压施加在栅极上，所述检测电压具有一电平值，该电平值的数值尤其是小于准备电压的绝对值。最后，该方法具有如下步骤：在使用所检测的测量参数的情况下确定气体参数。

主权项

1.借助于气敏场效应晶体管（100）测量气体参数（175）的方法（500），其中该方法（500）具有如下步骤：－在准备时间段（t23）期间给场效应晶体管（100）的栅极（115）施加（520，545）准备电压（UVS）；－在紧接在所述准备时间段（t23）之后的检测时间段（t34）期间检测（530）所述场效应晶体管（100）的源极接线端子（140）与漏极接线端子（145）之间的测量参数（165），其中在检测（530）所述测量参数（165）的期间将检测电压（UES）加在所述栅极（115）上，所述检测电压具有一电平值；以及－在使用所检测的测量参数（165）的情况下确定（535）所述气体参数（175），其特征在于，在所述检测（530）的步骤以后还执行确定（540，550）状态值（547）的步骤，其中该状态值（547）表示所述场效应晶体管（100）的源极接线端子（140）与漏极接线端子（145）之间的沟道区域（135）中的物理状态，其中在所述施加（520，545）的步骤中给所述栅极（115）施加依赖于该状态值（547）的准备电压（UVS1）。