[发明专利]借助于气敏场效应晶体管测量气体参数的方法和控制设备

权利要求书

1.借助于气敏场效应晶体管（100）测量气体参数（175）的方法（500），其中该方法（500）具有如下步骤：

－在准备时间段（t₂₃）期间给场效应晶体管（100）的栅极（115）施加（520，545）准备电压（U_VS）；

－在紧接在所述准备时间段（t₂₃）之后的检测时间段（t₃₄）期间检测（530）所述场效应晶体管（100）的源极接线端子（140）与漏极接线端子（145）之间的测量参数（165），其中在检测（530）所述测量参数（165）的期间将检测电压（U_ES）加在所述栅极（115）上，所述检测电压具有一电平值；以及

－在使用所检测的测量参数（165）的情况下确定（535）所述气体参数（175），

其特征在于，在所述检测（530）的步骤以后还执行确定（540，550）状态值（547）的步骤，其中该状态值（547）表示所述场效应晶体管（100）的源极接线端子（140）与漏极接线端子（145）之间的沟道区域（135）中的物理状态，其中在所述施加（520，545）的步骤中给所述栅极（115）施加依赖于该状态值（547）的准备电压（U_VS1）。

2.根据权利要求1所述的方法（500），其特征在于，在所述确定（535）的步骤中在使用仅仅在所述检测（530）的步骤中检测到的测量参数（165）的情况下确定所述气体参数（175）。

3.根据前述权利要求之一所述的方法（500），其特征在于，在所述施加（520，545）的步骤中给所述栅极（115）施加具有与所述检测电压（U_ES）不同符号的准备电压（U_VS），或者其中在所述施加（520，545）的步骤中给所述栅极（115）施加具有与所述检测电压（U_ES）相同符号的准备电压（U_VS）。

4.根据权利要求1至2之一所述的方法（500），其特征在于，该方法（500）的步骤重复执行至少一次。

5.根据权利要求4所述的方法（500），其特征在于，彼此相继执行的所述施加（520，545）的步骤被执行为使得所述施加（520，545）的步骤中的所述准备电压（U_VS）彼此不同，和/或彼此相继执行的所述检测（530）的步骤被执行为使得所述检测（530）的步骤中的检测时间段（t₃₄，t₅₆）彼此不同。

6.根据权利要求1至2之一所述的方法（500），其特征在于，在所述施加（520，545）的步骤中在所述栅极（115）上施加上升的测试电压（U）、然后施加下降的测试电压（U），并且测量所述源极接线端子（140）与所述漏极接线端子（145）之间的电流（I）的变化曲线（600），其中在所述检测（530）的步骤中在所述源极接线端子（140）与所述漏极接线端子（145）之间施加的电压依赖于来自所述电流（I）的所测量的变化曲线（600）的至少一个值。

7.根据权利要求6所述的方法（500），其特征在于，当在测试电压上升时针对预先给定的测试电压值（640）的电流（I）的变化曲线（600）的值与在测试电压下降时针对预先给定的测试电压值（640）的电流（I）的变化曲线（600）的值之差（630）的数值超过预定义的阈值时，在所述检测（530）的步骤中将施加在所述栅极（115）上的电压从第一电压值改变成第二电压值。

8.控制设备（110），其被构造为在对应的单元（150，160，170）中执行或控制根据权利要求1至7之一的方法（500）的步骤。