[发明专利]石墨/硅混杂增强高导热低膨胀铝基复合材料有效

专利信息
申请号: 201310313674.2 申请日: 2013-07-24
公开(公告)号: CN103343265A 公开(公告)日: 2013-10-09
发明(设计)人: 陈哲;周聪;王浩伟 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: C22C21/00 分类号: C22C21/00;C22C49/06;C22C101/10
代理公司: 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 代理人: 蒋亮珠
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种石墨/硅混杂增强高导热低膨胀铝基复合材料,该复合材料由基体铝或铝合金和石墨、硅组成,所述的石墨的体积分数为20%~65%,硅的体积分数为3%~40%,其余为铝或铝合金;所述的复合材料中还添加有抑制石墨铝有害界面反应物Al4C3的生成的界面改性添加剂。与现有技术相比,本发明在石墨/硅/铝复合材料中引入添加剂,利用添加剂元素进行铝碳界面改性,抑制有害Al4C3相的形成,通过减少界面热阻提高导热性能。所制备的复合材料结构致密,机械性能优异,其中热导率210-780W/mK,热膨胀系数在2.3~10×10-6m/K。本发明主要应用于电子封装材料,高功率密度、高热流密度的电子和微电子设备中的导热材料。
搜索关键词: 石墨 混杂 增强 导热 膨胀 复合材料
【主权项】:
一种石墨/硅混杂增强高导热低膨胀铝基复合材料,其特征在于,该复合材料由基体铝或铝合金和石墨、硅组成,所述的石墨的体积分数为20%~65%,硅的体积分数为3%~40%,其余为铝或铝合金;所述的复合材料中还添加有抑制石墨铝有害界面反应物Al4C3的生成的界面改性添加剂。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学,未经上海交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310313674.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top