[发明专利]在多结构高分子表面制备ZnO 阵列的方法有效
| 申请号： | 201310310268.0 | 申请日： | 2013-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN103408060A | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 王磊;郑咏梅 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | C01G9/02 | 分类号： | C01G9/02 |
| 代理公司： | 北京永创新实专利事务所 11121 | 代理人： | 姜荣丽 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在多结构高分子表面制备ZnO阵列的方法，属于界面化学领域。所述方法包括缓冲材料的制备，基底材料表面的修饰以及二者结合后ZnO阵列的生长的步骤。本发明解决了ZnO和高分子表面的结合问题，实现了良好的实验重复性；解决了高分子和无机ZnO材料的结合问题，可以在多种高分子材料表面实现制备；本发明的制备周期短，可以实现大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 高分子 表面 制备 zno 阵列 方法 | ||
【主权项】：
一种在多结构高分子表面制备ZnO阵列的方法，其特征在于：包括以下几个步骤：第一步，缓冲材料的制备：将含石墨材料和醋酸锌溶液进行混合，保证含石墨材料表面吸附有醋酸锌；干燥后转入马弗炉内高温煅烧；取出后，通过球磨机将其粉碎成纳米级颗粒；第二步，基底材料表面的修饰：将需要生长ZnO的基底材料和缓冲材料进行混合，基底材料表面即得到修饰；第三步，制备ZnO阵列：将修饰后的基底材料放入到反应釜中，将含有Zn2+的生长液放入反应釜；反应釜升温至85‑90℃，保温反应10‑12 h，在基底材料表面得到规则的ZnO阵列结构。
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