[发明专利]在多结构高分子表面制备ZnO 阵列的方法有效
| 申请号： | 201310310268.0 | 申请日： | 2013-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN103408060A | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 王磊;郑咏梅 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | C01G9/02 | 分类号： | C01G9/02 |
| 代理公司： | 北京永创新实专利事务所 11121 | 代理人： | 姜荣丽 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 结构 高分子 表面 制备 zno 阵列 方法 | ||
1.一种在多结构高分子表面制备ZnO阵列的方法，其特征在于：包括以下几个步骤：
第一步，缓冲材料的制备：
将含石墨材料和醋酸锌溶液进行混合，保证含石墨材料表面吸附有醋酸锌；干燥后转入马弗炉内高温煅烧；取出后，通过球磨机将其粉碎成纳米级颗粒；
第二步，基底材料表面的修饰：
将需要生长ZnO的基底材料和缓冲材料进行混合，基底材料表面即得到修饰；
第三步，制备ZnO阵列：
将修饰后的基底材料放入到反应釜中，将含有Zn2+的生长液放入反应釜；反应釜升温至85-90℃，保温反应10-12 h，在基底材料表面得到规则的ZnO阵列结构。
2.根据权利要求1所述的一种在多结构高分子表面制备ZnO阵列的方法，其特征在于：所述含石墨材料在使用前用无水乙醇清洗1小时以上。
3.根据权利要求1所述的一种在多结构高分子表面制备ZnO阵列的方法，其特征在于：所述的含石墨材料为石墨。
4.根据权利要求1所述的一种在多结构高分子表面制备ZnO阵列的方法，其特征在于：所述的基底材料选取高分子微米球、纤维或者海绵。
5.根据权利要求1所述的一种在多结构高分子表面制备ZnO阵列的方法，其特征在于：所述基底材料和缓冲材料的质量比为2:1～20:1。
6.根据权利要求1所述的一种在多结构高分子表面制备ZnO阵列的方法，其特征在于：所述醋酸锌溶液的浓度为0.1-3 g/L。
7.根据权利要求1所述的一种在多结构高分子表面制备ZnO阵列的方法，其特征在于：所述含有Zn2+的生长液为硝酸锌或醋酸锌。
8.根据权利要求1所述的一种在多结构高分子表面制备ZnO阵列的方法，其特征在于：所述将石墨和醋酸锌溶液进行混合，其中石墨与醋酸锌的质量比为3:1～10:1。
9.根据权利要求1所述的一种在多结构高分子表面制备ZnO阵列的方法，其特征在于：所述高温煅烧的条件为温度300～400℃条件下保温1h。
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