[发明专利]薄膜太阳能电池及其形成方法有效
申请号: | 201310306356.3 | 申请日: | 2013-07-19 |
公开(公告)号: | CN104051551B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 程子桓;蔡明典 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 太阳能电池包括背面接触层、背面接触层上的吸收层、吸收层上的缓冲层以及缓冲层之上的正面接触层。正面接触层具有第一部分和第二部分。正面接触层的第一部分和第二部分的厚度或掺杂浓度相互不同。本发明提供了薄膜太阳能电池及其形成方法。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池,包括:背面接触层;吸收层,位于所述背面接触层上;缓冲层,位于所述吸收层上,其中,在所述太阳能电池的互连结构中具有穿过所述吸收层和所述缓冲层的划线;以及正面接触层,位于所述缓冲层之上,所述正面接触层具有第一部分和第二部分,其中,所述正面接触层的所述第一部分和所述第二部分在由厚度和掺杂浓度所构成的组中的一个方面相互不同,所述第一部分覆盖并且延伸至所述划线之外,所述第一部分完全包含在所述互连结构中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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