[发明专利]薄膜太阳能电池及其形成方法有效
| 申请号： | 201310306356.3 | 申请日： | 2013-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN104051551B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 程子桓;蔡明典 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 太阳能电池 及其 形成 方法 | ||
1.一种太阳能电池，包括：
背面接触层；
吸收层，位于所述背面接触层上；
缓冲层，位于所述吸收层上；以及
正面接触层，位于所述缓冲层之上，所述正面接触层具有第一部分和第二部分，其中，所述正面接触层的所述第一部分和所述第二部分在由厚度和掺杂浓度所构成的组中的一个方面相互不同。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述正面接触层的所述第二部分的面积大于所述第一部分的面积。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一部分位于所述太阳能电池的互连结构区域中，并且所述第二部分的50%以上的面积位于所述太阳能电池的所述互连结构区域的外部，并且所述正面接触层的所述第二部分的掺杂浓度低于所述第一部分的掺杂浓度。
4.一种太阳能电池，包括：
背面接触层；
吸收层，位于所述背面接触层上；
缓冲层，位于所述吸收层上；以及
第一正面接触层，位于所述缓冲层之上，所述第一正面接触层具有第一掺杂浓度；以及
第二正面接触层，位于所述缓冲层的一部分之上，所述第二正面接触层覆盖的面积小于所述第一正面接触层覆盖的面积，所述第二正面接触层的第二掺杂浓度不同于所述第一掺杂浓度。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其中，所述第一正面接触层的掺杂浓度低于所述第二正面接触层的掺杂浓度，并且所述第一正面接触层形成在所述第二正面接触层上。
6.根据权利要求4所述的太阳能电池，其中，所述第一正面接触层的掺杂浓度低于所述第二正面接触层的掺杂浓度，并且所述第二正面接触层形成在所述第一正面接触层上。
7.根据权利要求4所述的太阳能电池，其中，所述第一正面接触层的掺杂浓度在1×1012atoms·cm-3到5×1020atoms·cm-3之间，并且所述第二正面接触层的掺杂浓度在1×1017atoms·cm-3到8×1022atoms·cm-3之间。
8.根据权利要求4所述的太阳能电池，其中：
所述太阳能电池具有包括多条划线的互连结构；以及
所述第二正面接触层形成在与所述多条划线垂直地延伸的一个或多个区域中。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池，其中，所述第二正面接触层具有连接至所述一个或多个区域并且远离所述一个或多个区域进行延伸的至少一个附加区域。
10.一种制造太阳能电池的方法，包括：
在基板上形成背面接触层；
在所述背面接触层上形成吸收层；
在所述吸收层上形成缓冲层；以及
在所述缓冲层之上形成第一正面接触层；以及
在部分所述缓冲层之上形成第二正面接触层，所述第二正面接触层覆盖的面积小于所述第一正面接触层的面积。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
