[发明专利]一种细节距高深宽比TSV种子层制作方法

摘要

本发明涉及一种微电子加工工艺中的一种细节距高深宽比TSV种子层制作方法，其针对的问题是在TSV孔径接近甚至小于1um时，PVD工艺的靶材将很容易将TSV口部封住，使靶材无法进入TSV孔内。本发明中，在利用PVD完成种子层淀积后，将晶圆置于真空或低气压环境下加热回流，使铜种子层流动性增加，同时辅以等离子体轰击，促进铜种子层向TSV中下部流动，同时TSV口部的种子层也会被反溅，使TSV口部被打开。继续淀积铜种子层工艺，然后重复上述回流和等离子处理过程，使得铜种子层在TSV内部的连续性得到改善，因此有利于后续电镀工艺的进行，保证TSV的填充效果。

主权项

一种细节距高深宽比TSV种子层制作方法，其特征在于包括以下步骤： （1）在晶圆衬底上进行TSV制作和绝缘层淀积； （2）利用PVD工艺在衬底表面和TSV孔内淀积铜种子层；（3）将晶圆置于真空或低气压环境下加热至200‑800℃进行回流，使铜种子层流动性增加，同时辅以等离子体轰击，在等离子体的轰击作用下，TSV口部的种子层会向下流动，同时TSV口部的种子层也会被反溅，使TSV口部被打开；（4）继续利用PVD工艺在衬底表面和TSV孔内淀积铜种子层；（5）再次进行第3步的回流和等离子体处理，促进铜种子层4向TSV中下部流动，TSV底部的铜被轰击后会反溅到种子层最薄弱的TSV中下部侧壁，使得铜种子层4在TSV孔内的连续性。