[发明专利]一种细节距高深宽比TSV种子层制作方法无效
| 申请号： | 201310305865.4 | 申请日： | 2013-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN103346121A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 薛恺;于大全 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人： | 任益 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 细节 高深 tsv 种子 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种细节距高深宽比TSV种子层制作方法，其特征在于包括以下步骤：
（1）在晶圆衬底上进行TSV制作和绝缘层淀积；
（2）利用PVD工艺在衬底表面和TSV孔内淀积铜种子层；
（3）将晶圆置于真空或低气压环境下加热至200-800℃进行回流，使铜种子层流动性增加，同时辅以等离子体轰击，在等离子体的轰击作用下，TSV口部的种子层会向下流动，同时TSV口部的种子层也会被反溅，使TSV口部被打开；
（4）继续利用PVD工艺在衬底表面和TSV孔内淀积铜种子层；
（5）再次进行第3步的回流和等离子体处理，促进铜种子层4向TSV中下部流动，TSV底部的铜被轰击后会反溅到种子层最薄弱的TSV中下部侧壁，使得铜种子层4在TSV孔内的连续性。
2.根据权利要求1所述的TSV种子层制作方法，其特征在于所述TSV的孔径大小不超过10微米，深宽比不小于6:1范围。
3.根据权利要求1所述的TSV种子层制作方法，其特征在于所述低气压环境的气压值在小于102Pa，回流温度在200-800℃范围。
4.根据权利要求1所述的TSV种子层制作方法，其特征在于在进行第2步之前利用PVD工艺在TSV孔内淀积一层阻挡层。
5.根据权利要求1至4的任一项所述的TSV种子层制作方法，其特征在于所述种子层的材料还可以是钨或铝。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
