[发明专利]高阻抗衬底上的RF开关在审
| 申请号： | 201310303834.5 | 申请日： | 2013-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN104051529A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 陈家忠;黄崎峰;傅淑芳;叶子祯;周淳朴 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种器件，包括具有第一导电类型的半导体衬底，以及所述半导体衬底中的深阱区，其中深阱区具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型。该器件还包括位于深阱区上方的具有第一导电类型的阱区。半导体衬底具有位于阱区上方的顶部以及位于深阱区下方的底部，其中所述顶部和所述底部具有第一导电类型并且具有高阻抗。栅极电介质位于半导体衬底之上。栅电极位于栅极电介质上方。源极区和漏极区延伸至半导体衬底的顶部中。源极区、漏极区、栅极电介质以及栅电极形成射频（RF）开关。本发明还公开了高阻抗衬底上的RF开关。 | ||
| 搜索关键词： | 阻抗 衬底 rf 开关 | ||
【主权项】：
一种器件，包括:具有第一导电类型的半导体衬底;位于所述半导体衬底中的深阱区，所述深阱区具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型;位于所述深阱区上方的具有所述第一导电类型的阱区，其中，所述半导体衬底包括:位于所述阱区上方的顶部;以及位于所述深阱区下方的底部，其中，所述顶部和所述底部具有所述第一导电类型并且具有高阻抗;位于所述半导体衬底的顶部上方的栅极电介质;位于所述栅极电介质上方的栅电极;以及延伸至所述半导体衬底的顶部中的源极区和漏极区，其中，所述源极区和漏极区与所述阱区被所述半导体衬底的顶部分隔开，并且所述源极区、所述漏极区、所述栅极电介质以及所述栅电极形成射频(RF)开关，所述射频(RF)开关配置成在RF频率范围内工作。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310303834.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种试车间内气流压力的测量方法及系统
- 下一篇：力检测元件和力转换元件
- 同类专利
- 专利分类
