[发明专利]高阻抗衬底上的RF开关

权利要求书

1.一种器件，包括:

具有第一导电类型的半导体衬底;

位于所述半导体衬底中的深阱区，所述深阱区具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型;

位于所述深阱区上方的具有所述第一导电类型的阱区，其中，所述半导体衬底包括:

位于所述阱区上方的顶部;以及

位于所述深阱区下方的底部，其中，所述顶部和所述底部具有所述第一导电类型并且具有高阻抗;

位于所述半导体衬底的顶部上方的栅极电介质;

位于所述栅极电介质上方的栅电极;以及

延伸至所述半导体衬底的顶部中的源极区和漏极区，其中，所述源极区和漏极区与所述阱区被所述半导体衬底的顶部分隔开，并且所述源极区、所述漏极区、所述栅极电介质以及所述栅电极形成射频(RF)开关，所述射频(RF)开关配置成在RF频率范围内工作。

2.根据权利要求1所述的器件，还包括:

位于在所述RF开关上方并与所述RF开关电连接的RF无源器件。

3.根据权利要求1所述的器件，其中，所述半导体的高阻抗大于约5000ohm-cm。

4.根据权利要求1所述的器件，其中，所述高阻抗在大约5000ohm-cm至大约20000ohm-cm之间。

5.根据权利要求1所述的器件，其中，所述源极区和所述漏极区具有小于约50nm的深度。

6.根据权利要求1所述的器件，还包括:

栅极间隔件，位于所述栅电极的侧壁上;

介电层，包括位于所述源极区和所述漏极区中的一个上方并与所述源极区和所述漏极区中的所述一个接触的部分;以及

源极/漏极硅化物，具有与所述介电层的边缘对准的边缘，其中，所述介电层位于所述栅极间隔件和所述源极/漏极硅化物之间。

7.根据权利要求1所述的器件，还包括所述栅极电介质下方延伸的轻掺杂源极/漏极区，其中所述轻掺杂源极/漏极区具有小于约50nm的深度。

8.一种器件，包括:

半导体衬底;

位于所述半导体衬底中的深n型阱区;

位于所述深n型阱区上方并与所述深n型阱区接触的p型阱区，其中所述半导体衬底包括:

位于所述p型阱区上方的顶部;以及

位于所述深n型阱区下方的底部，其中，所述顶部和所述底部为p型，并且所述底部具有大于约5000ohm-cm的阻抗;

射频(RF)开关，包括:

位于所述半导体衬底的所述顶部上方的栅极电介质;

位于所述栅极电介质上方的栅电极;以及

延伸至所述半导体衬底的所述顶部中的源极区和漏极区，其中所述源极区和所述漏极区与所述p型阱区被所述半导体衬底的所述顶部分隔开;以及，

RF无源器件，位于所述RF开关上方并与所述RF开关电连接。

9.根据权利要求8所述的器件，其中，所述RF无源器件电连接至所述栅电极。

10.一种方法，包括:

实施对半导体衬底进行注入以形成深阱区的第一注入，其中，所述半导体衬底具有第一导电类型并且具有大于约5000ohm-cm的阻抗，并且在所述第一注入中，注入与所述第一导电类型相反的第二导电类型的杂质;

实施对所述半导体衬底进行注入的第二注入，具有第一导电类型的阱区形成在所述深阱区上方，并且在所述第一注入和所述第二注入之后，所述半导体衬底包括:

位于所述阱区上方的顶部;以及

位于所述深阱区下方的底部，其中，所述顶部和所述底部在所述第一注入和所述第二注入中基本上不被注入；

在所述半导体衬底的顶部上方形成栅极电介质；

在所述栅极电介质上方形成栅电极；以及

实施对所述半导体衬底的所述顶部进行注入以形成源极区和漏极区的第三注入，其中所述源极区和所述漏极区与所述阱区被所述半导体衬底的剩余顶部分隔开，并且所述源极区、所述漏极区、所述栅极电介质以及所述栅电极形成配置成在射频（RF）频率范围内工作的RF开关。