[发明专利]多晶硅铸锭的制备方法无效

专利信息
申请号: 201310301703.3 申请日: 2013-07-18
公开(公告)号: CN103343388A 公开(公告)日: 2013-10-09
发明(设计)人: 李飞龙;许涛;翟传鑫;张伟娜 申请(专利权)人: 阿特斯(中国)投资有限公司;阿特斯光伏电力(洛阳)有限公司
主分类号: C30B28/06 分类号: C30B28/06;C30B29/06
代理公司: 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 代理人: 杨林洁
地址: 215300 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明揭示了一种多晶硅铸锭的制备方法,该方法包括以下步骤:S1、制备均匀分散有颗粒硅及石英砂的浆料;S2、将所述浆料倒入坩埚内,在预定温度烘干后,烧结制得颗粒硅形核层;S3、在所述坩埚内加入多晶硅料,并将该装有多晶硅料的坩埚放置于一定向凝固铸锭炉中抽真空,并加热使所述多晶硅料融化进入长晶阶段;S4、进入长晶阶段后调节控温电偶的温度和侧部隔热笼向上移动的速率,使热量向下辐射而使熔融硅在所述颗粒硅形核层上形核结晶;S5、待所述熔融硅结晶完后经退火和冷却形成多晶硅铸锭,本发明提供的多晶硅铸锭的制备方法成本较低,且制得的多晶硅铸锭位错密度低。
搜索关键词: 多晶 铸锭 制备 方法
【主权项】:
一种多晶硅铸锭的制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:S1、制备均匀分散有颗粒硅及石英砂的浆料;S2、将所述浆料倒入坩埚内,在预定温度烘干后,烧结制得颗粒硅形核层;S3、在所述坩埚内加入多晶硅料,并将该装有多晶硅料的坩埚放置于一定向凝固铸锭炉中抽真空,并加热使所述多晶硅料融化进入长晶阶段;S4、进入长晶阶段后调节控温电偶的温度和侧部隔热笼向上移动的速率,使热量向下辐射而使熔融硅在所述颗粒硅形核层上形核结晶;S5、待所述熔融硅结晶完后经退火和冷却形成多晶硅铸锭。
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