[发明专利]多晶硅铸锭的制备方法

权利要求书

1.一种多晶硅铸锭的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

S1、制备均匀分散有颗粒硅及石英砂的浆料；

S2、将所述浆料倒入坩埚内，在预定温度烘干后，烧结制得颗粒硅形核层；

S3、在所述坩埚内加入多晶硅料，并将该装有多晶硅料的坩埚放置于一定向凝固铸锭炉中抽真空，并加热使所述多晶硅料融化进入长晶阶段；

S4、进入长晶阶段后调节控温电偶的温度和侧部隔热笼向上移动的速率，使热量向下辐射而使熔融硅在所述颗粒硅形核层上形核结晶；

S5、待所述熔融硅结晶完后经退火和冷却形成多晶硅铸锭。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S1中所述的颗粒硅的尺寸为0.5~1mm。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S1中所述的石英砂的尺寸为0.2~0.4mm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S1具体包括：

将颗粒硅及石英砂均匀混合，再加入纯水和凝结剂，并搅拌制得均匀分散有颗粒硅及石英砂的浆料。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述颗粒硅、石英砂、和纯水的比例按重量计为1：1~2：2~3。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述凝结剂选自电子级的纳米硅溶胶和/或电子级聚乙烯醇溶液。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S2中所述浆料填充所述坩埚的深度为3~5mm。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S2中烘干的预定温度为70~80℃，烘干时间为2~3小时。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S2中烧结温度为1050~1100℃，烧结时间为4~6小时。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S3中使所述多晶硅融化的温度控制在1540~1550℃。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S4中所述的控温热电偶的温度调节范围为1400~1430℃。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S4中所述的侧部隔热笼向上移动的速率为0.5~0.6cm/h。

13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S4中所述的侧部隔热笼的最高移动位置为15cm。