[发明专利]MgZnO薄膜叠靶射频磁控溅射制备方法有效
| 申请号： | 201310293559.3 | 申请日： | 2013-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN103320760A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 蒋大勇;赵曼;秦杰明;梁庆成;赵建勋;高尚;侯建华 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 陶尊新 |
| 地址： | 130022 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | MgZnO薄膜叠靶射频磁控溅射制备方法属于半导体光电技术领域。现有技术在MgxZn1–xO薄膜晶体的生长过程中出现Zn原子流失。本发明在射频磁控溅射仪的真空室中进行，将由MgxZn1–xO陶瓷靶材制作的圆片状溅射靶放置在真空室内的溅射靶台上；衬底与溅射靶相对并位于溅射靶上方，真空室抽真空后通入溅射气体；衬底升温，提供溅射功率；其特征在于，在所述溅射靶台上增设一个Zn环靶，Zn环靶的内径等于所述溅射靶的外径，由溅射靶和Zn环靶构成叠靶。在Zn环靶上方形成上升的圆筒状Zn原子流，在一定程度上防止Mg、Zn、O原子流中的Zn流失，也对Mg、Zn、O原子流中的Zn流失进行Zn补充，MgxZn1–xO薄膜晶体中的Zn空位得到填补。 | ||
| 搜索关键词： | mgzno 薄膜 射频 磁控溅射 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种MgZnO薄膜叠靶射频磁控溅射制备方法，采用该方法制备MgZnO薄膜在射频磁控溅射仪的真空室中进行，将由MgxZn1–xO陶瓷靶材制作的圆片状溅射靶（1）放置在真空室内的溅射靶台上；衬底（2）与溅射靶（1）相对并位于溅射靶（1）上方，真空室抽真空后通入溅射气体；衬底（2）升温，提供溅射功率；其特征在于，在所述溅射靶台上增设一个Zn环靶（3），Zn环靶（3）的内径等于所述溅射靶（1）的外径，由溅射靶（1）和Zn环靶（3）构成叠靶。
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