[发明专利]MgZnO薄膜叠靶射频磁控溅射制备方法

权利要求书

1.一种MgZnO薄膜叠靶射频磁控溅射制备方法，采用该方法制备MgZnO薄膜在射频磁控溅射仪的真空室中进行，将由Mg_xZn_1–xO陶瓷靶材制作的圆片状溅射靶（1）放置在真空室内的溅射靶台上；衬底（2）与溅射靶（1）相对并位于溅射靶（1）上方，真空室抽真空后通入溅射气体；衬底（2）升温，提供溅射功率；其特征在于，在所述溅射靶台上增设一个Zn环靶（3），Zn环靶（3）的内径等于所述溅射靶（1）的外径，由溅射靶（1）和Zn环靶（3）构成叠靶。

2.根据权利要求1所述的MgZnO薄膜叠靶射频磁控溅射制备方法，其特征在于，Zn环靶（3）的材质为Zn或者ZnO。

3.根据权利要求1所述的MgZnO薄膜叠靶射频磁控溅射制备方法，其特征在于，Zn环靶（3）的形状为圆片状或者圆环状；当Zn环靶（3）采用圆片状Zn环靶时，溅射靶（1）在上、Zn环靶（3）在下，二者同轴纵向叠加构成叠靶，并且，Zn环靶（3）的外径大于溅射靶（1）的外径，Zn环靶（3）上表面除了被溅射靶（1）覆盖部分之外的部分为一个圆环，该圆环的内径即为所述Zn环靶（3）的内径，该Zn环靶（3）的内径自然等于所述溅射靶（1）的外径；当Zn环靶（3）采用圆环状Zn环靶时，溅射靶（1）在里、Zn环靶（3）在外，二者同轴横向叠加构成叠靶，并且，Zn环靶（3）的内径等于溅射靶（1）的外径。