[发明专利]内嵌栅接地NMOS触发的可控硅瞬态电压抑制器有效
| 申请号： | 201310292850.9 | 申请日： | 2013-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN103390618A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 董树荣;钟雷;曾杰;郭维 | 申请（专利权）人： | 江苏艾伦摩尔微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/792;H01L23/60 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州市昆*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种内嵌栅接地NMOS触发的可控硅瞬态电压抑制器，包括P型衬底，所述P型衬底上沿横向设置有N阱，在所述N阱和P型衬底上未设N阱的区域中，沿横向依次设有第一N+注入区、第一P+注入区、第三N+注入区、多晶硅栅、第二N+注入区和第二P+注入区；所述第一N+注入区和第一P+注入区设置在N阱上，所述第三N+注入区的两端分别跨设在N阱和P型衬底未设N阱的区域上，所述多晶硅栅、第二N+注入区和第二P+注入区设置在P型衬底上未设N阱的区域；所述多晶硅栅、第二N+注入区和第三N+注入区在P型衬底上构成NMOS结构；所述第一N+注入区、第一P+注入区和第三N+注入区均接入电学阳极，所述多晶硅栅、第二N+注入区和第二P+注入区均接入电学阴极。 | ||
| 搜索关键词： | 内嵌栅 接地 nmos 触发 可控硅 瞬态 电压 抑制器 | ||
【主权项】：
一种内嵌栅接地NMOS触发的可控硅瞬态电压抑制器，包括P型衬底，所述P型衬底上沿横向设置有N阱，其特征在于：在所述N阱和P型衬底上未设N阱的区域中，沿横向依次设有第一N+注入区、第一P+注入区、第三N+注入区、多晶硅栅、第二N+注入区和第二P+注入区；其中，所述第一N+注入区和第一P+注入区设置在N阱上，所述第三N+注入区的两端分别跨设在N阱和P型衬底未设N阱的区域上，所述多晶硅栅、第二N+注入区和第二P+注入区设置在P型衬底上未设N阱的区域；所述多晶硅栅、第二N+注入区和第三N+注入区在P型衬底上构成NMOS结构；所述第一N+注入区、第一P+注入区和第三N+注入区均接入电学阳极，所述多晶硅栅、第二N+注入区和第二P+注入区均接入电学阴极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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