[发明专利]氮化物系化合物半导体元件及其制造方法无效
| 申请号： | 201310288724.6 | 申请日： | 2013-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN103681832A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 古川拓也;品川达志;岩见正之;梅野和行;加藤祯宏 | 申请（专利权）人： | 先进动力设备技术研究协会 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/04;H01L29/15;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 翟赟琪 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题是提供抑制了漏电的氮化物系化合物半导体元件及其制造方法。该氮化物系化合物半导体元件具备：基板；在所述基板上形成的包含多层复合层的缓冲层，该复合层层叠有由氮化物系化合物半导体构成的第1层，和晶格常数比所述第1层小的、由含有铝的氮化物系化合物半导体构成的第2层；在所述缓冲层上形成的半导体工作层；以及在所述半导体工作层上形成的多个电极。所述第2层的至少一层添加了氧。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 化合物 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物系化合物半导体元件，其特征在于，具备：基板；在所述基板上形成的包含多层复合层的缓冲层，该复合层层叠有由氮化物系化合物半导体构成的第1层，和晶格常数比所述第1层小的、由含有铝的氮化物系化合物半导体构成的第2层；在所述缓冲层上形成的半导体工作层；以及在所述半导体工作层上形成的多个电极，所述第2层的至少一层添加了氧。
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