[发明专利]氮化物系化合物半导体元件及其制造方法无效
| 申请号： | 201310288724.6 | 申请日： | 2013-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN103681832A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 古川拓也;品川达志;岩见正之;梅野和行;加藤祯宏 | 申请（专利权）人： | 先进动力设备技术研究协会 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/04;H01L29/15;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 翟赟琪 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 化合物 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种氮化物系化合物半导体元件，其特征在于，
具备：基板；在所述基板上形成的包含多层复合层的缓冲层，该复合层层叠有由氮化物系化合物半导体构成的第1层，和晶格常数比所述第1层小的、由含有铝的氮化物系化合物半导体构成的第2层；在所述缓冲层上形成的半导体工作层；以及在所述半导体工作层上形成的多个电极，
所述第2层的至少一层添加了氧。
2.根据权利要求1所述的氮化物系化合物半导体元件，其特征在于，所述第1层包含GaN，所述第2层包含AlN。
3.根据权利要求1或2所述的氮化物系化合物半导体元件，其特征在于，所述第2层的氧浓度为1×1019cm-3以上。
4.根据权利要求3所述的氮化物系化合物半导体元件，其特征在于，所述第2层的氧浓度小于1×1020cm-3。
5.根据权利要求1或2所述的氮化物系化合物半导体元件，其特征在于，在所述电极间施加电压时，至少在施加最高的电压的所述复合层的第2层中添加了氧。
6.根据权利要求1或2所述的氮化物系化合物半导体元件，其特征在于，在所述复合层的至少1个中的所述第1层的与所述第2层的界面产生二维电子气。
7.根据权利要求6所述的氮化物系化合物半导体元件，其特征在于，在产生所述二维电子气的复合层中的最靠近所述半导体工作层的位置的所述复合层的第2层中添加了氧。
8.根据权利要求1或2所述的氮化物系化合物半导体元件，其特征在于，其是场效应晶体管或肖特基势垒二极管。
9.一种氮化物系化合物半导体元件的制造方法，其特征在于，包括：
在基板上形成包含多层复合层的缓冲层的工序，该复合层层叠有由氮化物系化合物半导体构成的第1层，和晶格常数比上述第1层小的、由含有铝的氮化物系化合物半导体构成的第2层；
在所述缓冲层上形成半导体工作层的工序；以及
在所述半导体工作层上形成多个电极的工序，
其中，形成所述缓冲层的工序包括在所述第2层的至少1层添加氧的工序。
10.根据权利要求9所述的氮化物系化合物半导体元件的制造方法，其特征在于，形成所述缓冲层的工序包括下述工序：通过MOCVD法形成所述第1层和所述第2层，通过在利用所述MOCVD法进行外延生长时使用的原料气体中，混合氧气及含氧气体的至少一种，从而在所述第2层的至少1层中添加氧。
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