[发明专利]制备多晶硅还原生产用混合气供料的装置无效
申请号: | 201310287575.1 | 申请日: | 2013-07-10 |
公开(公告)号: | CN103408019A | 公开(公告)日: | 2013-11-27 |
发明(设计)人: | 石何武;严大洲;肖荣晖;汤传斌;毋克力;杨永亮;郑红梅 | 申请(专利权)人: | 中国恩菲工程技术有限公司 |
主分类号: | C01B33/035 | 分类号: | C01B33/035 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 李志东 |
地址: | 100038*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种制备多晶硅还原生产用混合气供料的装置。该装置包括:本体,所述本体内限定出汽化空间;氢气进料口,所述氢气进料口设置在所述本体上;三氯氢硅进料口,所述三氯氢硅进料口设置在所述本体上;二氯二氢硅进料口,所述二氯二氢硅进料口设置在所述本体上;以及还原生产用混合气供料出口,所述还原生产用混合气供料出口设置在所述本体上。由此,利用该装置得到的还原生产用混合气供料,可以提高三氯氢硅的一次转化率,进而提高多晶硅在还原炉内的沉积速率;还可以通过控制参数调整过程中诱发二氯二氢硅的气相沉积,从而提高了三氯氢硅的还原利用率。 | ||
搜索关键词: | 制备 多晶 还原 生产 混合 供料 装置 | ||
【主权项】:
一种制备多晶硅还原生产用混合气供料的装置,其特征在于,包括:本体,所述本体内限定出汽化空间;氢气进料口,所述氢气进料口设置在所述本体上,用于向所述汽化空间中引入所述氢气;三氯氢硅进料口,所述三氯氢硅进料口设置在所述本体上,用于向所述汽化空间中引入所述三氯氢硅;二氯二氢硅进料口,所述二氯二氢硅进料口设置在所述本体上,用于向所述汽化空间中引入所述二氯二氢硅;以及还原生产用混合气供料出口,所述还原生产用混合气供料出口设置在所述本体上,用于将获得的还原生产用混合气供料输送出所述制备多晶硅还原生产用混合气供料的装置。
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